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HVC363BTRU 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 12:23:07 查看 閱讀�23

HVC363BTRU 是一款高性能、低功耗的 MOSFET �(chǎng)效應(yīng)晶體�,專(zhuān)為需要高效率和可靠性的�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備出色的�(kāi)�(guān)特性和較低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),使其成為電源管�、信�(hào)切換和電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)景的理想選擇�
  該器件屬� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,能夠支持較高的連續(xù)漏極電流,并且在廣泛的電壓范圍內(nèi)保持�(wěn)定的性能表現(xiàn)�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�18A
  �(dǎo)通電� (Rds(on))�4.5mΩ (典型�,在 Vgs=10V �)
  總功耗:115W
  工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-263

特�

HVC363BTRU 具備以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 可以有效減少功率損�,提高整體系�(tǒng)效率�
  2. 高速開(kāi)�(guān)能力使得其適合高頻應(yīng)用,例如 DC-DC �(zhuǎn)換器� PWM 控制電路�
  3. �(nèi)置靜電放� (ESD) 保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的可靠��
  4. 支持大電流操作,�(mǎn)足工�(yè)�(jí)�(fù)載需��
  5. 寬泛的工作溫度范� (-55°C � +175°C),適�(yīng)極端�(huán)境下的運(yùn)行條件�
  6. 小巧緊湊� TO-263 封裝形式節(jié)省了印刷電路板的空間,同�(shí)便于散熱�(shè)�(jì)�

�(yīng)�

HVC363BTRU 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開(kāi)�(guān)或同步整流元��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中作為功率開(kāi)�(guān)使用�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載控��
  4. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 的充放電路徑控制�
  5. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的繼電器替代方��
  6. 各類(lèi)信號(hào)切換與隔離電路中的關(guān)鍵組件�

替代型號(hào)

HVC363BTSU, HVC363BTUU, IRFZ44N

hvc363btru推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • �(chǎng)�
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)