HVC363BTRU 是一款高性能、低功耗的 MOSFET �(chǎng)效應(yīng)晶體�,專(zhuān)為需要高效率和可靠性的�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備出色的�(kāi)�(guān)特性和較低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),使其成為電源管�、信�(hào)切換和電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)景的理想選擇�
該器件屬� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,能夠支持較高的連續(xù)漏極電流,并且在廣泛的電壓范圍內(nèi)保持�(wěn)定的性能表現(xiàn)�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�18A
�(dǎo)通電� (Rds(on))�4.5mΩ (典型�,在 Vgs=10V �)
總功耗:115W
工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
封裝形式:TO-263
HVC363BTRU 具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 可以有效減少功率損�,提高整體系�(tǒng)效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)能力使得其適合高頻應(yīng)用,例如 DC-DC �(zhuǎn)換器� PWM 控制電路�
3. �(nèi)置靜電放� (ESD) 保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的可靠��
4. 支持大電流操作,�(mǎn)足工�(yè)�(jí)�(fù)載需��
5. 寬泛的工作溫度范� (-55°C � +175°C),適�(yīng)極端�(huán)境下的運(yùn)行條件�
6. 小巧緊湊� TO-263 封裝形式節(jié)省了印刷電路板的空間,同�(shí)便于散熱�(shè)�(jì)�
HVC363BTRU 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開(kāi)�(guān)或同步整流元��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中作為功率開(kāi)�(guān)使用�
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載控��
4. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 的充放電路徑控制�
5. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的繼電器替代方��
6. 各類(lèi)信號(hào)切換與隔離電路中的關(guān)鍵組件�
HVC363BTSU, HVC363BTUU, IRFZ44N