HV830LG-G是一款高壓MOSFET�(qū)�(dòng)芯片,適用于需要高電壓�(qū)�(dòng)的場(chǎng)�。該芯片能夠有效地驅(qū)�(dòng)外部的N溝道MOSFET或IGBT,提供快速的開關(guān)性能和強(qiáng)大的�(qū)�(dòng)能力。它集成了多種保�(hù)功能以確保系�(tǒng)的可靠性和�(wěn)定性,廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、LED照明等領(lǐng)��
其內(nèi)部電路設(shè)�(jì)�(yōu)化了功耗和散熱性能,并且具有較高的抗干擾能力,可以適應(yīng)�(fù)雜的電磁�(huán)��
供電電壓�12V~60V
輸出電流:峰值可�(dá)2A
�(qū)�(dòng)能力:支持高�(dá)1000V的外部MOSFET
工作溫度范圍�-40℃~125�
封裝形式:SOIC-8
輸入兼容性:TTL/CMOS電平兼容
HV830LG-G的主要特性包括:
1. 高壓�(qū)�(dòng)能力,可直接�(qū)�(dòng)高達(dá)1000V的MOSFET或IGBT�
2. �(nèi)置死區(qū)�(shí)間控制功�,防止直通電流;
3. 支持低至2.5V的邏輯電平輸�,便于與微控制器等數(shù)字系�(tǒng)接口�
4. 集成欠壓鎖定(UVLO)保�(hù),確保在異常條件下芯片的安全�(yùn)��
5. 快速響�(yīng)的短路保�(hù)和過溫關(guān)斷功�,提升系�(tǒng)的可靠��
6. 超低靜態(tài)功耗設(shè)�(jì),適合對(duì)能效要求較高的應(yīng)用環(huán)��
HV830LG-G適合以下�(yīng)用場(chǎng)景:
1. 開關(guān)電源中的功率�(jí)�(qū)�(dòng)�
2. 無刷直流電機(jī)(BLDC)驅(qū)�(dòng)電路�
3. 大功率LED�(qū)�(dòng)器;
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模��
5. 逆變器及光伏系統(tǒng)中的高頻開關(guān)元件�(qū)�(dòng)�
6. 各類高壓�(fù)載切換和控制�
HV830L, IR2104, TI UCC27211