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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > HUF75345S3ST

HUF75345S3ST 發(fā)布時間 時間�2025/5/13 8:48:52 查看 閱讀�22

HUF75345S3ST是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),采用先進的制造工藝,具有低導通電阻和高開關速度的特�。該器件適用于各種功率轉換和電機驅動應用。其封裝形式為TO-263(D2PAK�,能夠提供出色的散熱性能�

參數

最大漏源電壓:60V
  最大連續(xù)漏極電流�12A
  最大柵源電壓:±20V
  導通電阻(典型值)�1.8mΩ
  總功耗:10W
  工作溫度范圍�-55℃至175�
  封裝形式:TO-263

特�

HUF75345S3ST具備低導通電�,這有助于減少功率損耗并提高效率。同�,它具有快速開關能�,適合高頻應用。器件的高電流承載能力和寬工作溫度范圍使其非常適合惡劣環(huán)境下的應�。此�,其D2PAK封裝提供了良好的熱管理和電氣性能�

應用

該MOSFET廣泛應用于直�-直流轉換�、開關電源、電池管理系�(tǒng)、電機驅動器和負載開關等領域。在這些應用�,HUF75345S3ST的高效能和可靠性可以顯著提升系�(tǒng)的整體表�(xiàn)�

替代型號

IRF7742, AO3400A

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huf75345s3st參數

  • 產品培訓模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • 標準包裝800
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列UltraFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)55V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C75A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7 毫歐 @ 75A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs275nC @ 20V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds4000pF @ 25V
  • 功率 - 最�325W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片�,TO-263AB
  • 供應商設備封�TO-263AB
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱HUF75345S3ST-NDHUF75345S3STTR