HSG1001VD-TL-E是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用Trench技�(shù)制造,主要用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)�。該芯片具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和�(wěn)定性�
該型�(hào)屬于增強(qiáng)型N溝道MOSFET,具備出色的熱性能和電氣性能,適合在高頻和高電流�(huán)境下使用�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�38A
�(dǎo)通電阻:2.9mΩ
柵極電荷�74nC
開關(guān)�(shí)間:開通延遲時(shí)� 15ns,關(guān)斷延遲時(shí)� 25ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
1. 極低的導(dǎo)通電�,可有效降低傳導(dǎo)損耗�
2. 高速開�(guān)能力,支持高頻應(yīng)��
3. �(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì),可減少�(qū)�(dòng)功��
4. �(qiáng)大的雪崩耐量和短路耐受能力,提高了器件的可靠��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛封��
6. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)省PCB空間�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)中的橋臂開關(guān)�
4. 電池保護(hù)電路中的�(fù)載開�(guān)�
5. 工業(yè)控制和汽車電子中的功率管理模��
IRF7728, FDP058N06L, AO6824