HM80N04是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)器件,采用N溝道增強型技�(shù)。該芯片主要適用于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負(fù)載開�(guān)等應(yīng)用領(lǐng)域。其�(shè)計注重低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能,能夠有效減少功率損耗并提升效率�
HM80N04采用了先進的制程工藝,具備出色的熱穩(wěn)定性和可靠�,能夠在高頻工作條件下保持良好的性能表現(xiàn)�
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�80A
�(dǎo)通電阻:4mΩ
柵極電荷�95nC
開關(guān)速度:超�
封裝形式:TO-247
1. HM80N04具有極低的導(dǎo)通電阻,僅為4mΩ,從而顯著降低了功率損耗,提高了系�(tǒng)效率�
2. 芯片�(nèi)置的快速開�(guān)特性使其非常適合高頻應(yīng)用環(huán)境,可大幅降低開�(guān)損��
3. 高額定電流能�,最大支�80A的連續(xù)漏極電流輸出,確保在大電流場景下依然能保持穩(wěn)定性能�
4. 封裝采用TO-247�(biāo)�(zhǔn),散熱性能�(yōu)�,有助于提高整體系統(tǒng)的可靠性�
5. 芯片具備較強的抗浪涌能力和魯棒�,適�(yīng)惡劣的工作環(huán)境�
HM80N04廣泛�(yīng)用于各類電力電子�(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的高端或低端開�(guān)�
3. 電機�(qū)動電路中的功率級元件�
4. 各類�(fù)載開�(guān)及保護電��
5. 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換組��
6. 電動車和工業(yè)自動化設(shè)備中的大電流控制模塊�
IRF840, FDP55N20