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HH15N4R7B500CT 發(fā)布時間 時間:2025/5/20 19:20:25 查看 閱讀:8

HH15N4R7B500CT是一款高壓、高速開關(guān)的功率MOSFET,采用N溝道增強型設(shè)計。該芯片主要應(yīng)用于高電壓和大電流場景,例如開關(guān)電源、電機驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及各種工業(yè)控制領(lǐng)域。其出色的開關(guān)特性和較低的導(dǎo)通電阻使其成為高效能功率轉(zhuǎn)換的理想選擇。
  HH15N4R7B500CT通過優(yōu)化的半導(dǎo)體工藝技術(shù)制造,具有良好的穩(wěn)定性和可靠性,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持性能。

參數(shù)

最大漏源電壓:700V
  連續(xù)漏極電流:4.8A
  導(dǎo)通電阻:3.2Ω
  柵極電荷:16nC
  總電容:110pF
  工作溫度范圍:-55℃ to 150℃
  封裝形式:TO-220

特性

HH15N4R7B500CT具有高擊穿電壓和低導(dǎo)通電阻的特點,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)的整體效率。此外,該器件還具備以下顯著特性:
  1. 高速開關(guān)能力:由于其較低的柵極電荷和總電容,使得開關(guān)速度更快,從而減少開關(guān)損耗。
  2. 熱穩(wěn)定性強:在高溫環(huán)境下依然可以保持穩(wěn)定的電氣性能,適合工業(yè)級應(yīng)用。
  3. 抗雪崩能力:內(nèi)置雪崩能量保護功能,提高了器件在異常條件下的魯棒性。
  4. 小型化封裝:采用標(biāo)準(zhǔn)的TO-220封裝,便于安裝和散熱設(shè)計。
  5. 寬工作溫度范圍:支持從低溫到高溫的極端環(huán)境,增強了應(yīng)用的適應(yīng)性。

應(yīng)用

HH15N4R7B500CT廣泛應(yīng)用于需要高電壓、大電流處理能力的場景中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):適用于AC-DC或DC-DC轉(zhuǎn)換器中的主開關(guān)管。
  2. 電機驅(qū)動:用于控制直流無刷電機或其他類型電機的運行狀態(tài)。
  3. 工業(yè)自動化設(shè)備:如可編程邏輯控制器(PLC)、逆變焊機等。
  4. 能量存儲系統(tǒng):用作電池管理系統(tǒng)中的功率開關(guān)。
  5. LED驅(qū)動器:為大功率LED照明提供高效的驅(qū)動解決方案。
  總之,這款功率MOSFET憑借其卓越的性能表現(xiàn),在眾多電力電子設(shè)備中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。

替代型號

IRFP460, STP75NF06L, FQP17N60C

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  • 產(chǎn)品型號
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  • 封裝/批號
  • 詢價

hh15n4r7b500ct參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨查看交期
  • 價格10,000 : ¥0.06913卷帶(TR)
  • 系列HH
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容4.7 pF
  • 容差±0.1pF
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低損耗,超低 ESR
  • 等級-
  • 應(yīng)用RF,微波,高頻
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 長 x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-