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HGTP12N60A4D 發(fā)布時間 時間�2025/5/29 23:57:34 查看 閱讀�12

HGTP12N60A4D是一種高壓功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),專為高電壓和高效率�(yīng)用設(shè)�。該器件采用先進的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度以及�(yōu)異的熱性能�
  它適用于各種電力電子�(yīng)用場�,例如開�(guān)電源、電機驅(qū)�、逆變器等。HGTP12N60A4D能夠在高�(dá)600V的電壓下工作,同時保持較低的功耗和較高的可靠��

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�12A
  �(dǎo)通電阻:85mΩ
  柵極電荷�37nC
  總電容:1450pF
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�

特�

HGTP12N60A4D具備以下主要特性:
  1. 高耐壓能力:能夠承受高�(dá)600V的漏源電壓,適合高壓�(huán)境下的應(yīng)��
  2. 低導(dǎo)通電阻:85mΩ的典型導(dǎo)通電阻降低了傳導(dǎo)損�,提高了整體效率�
  3. 快速開�(guān)性能:低柵極電荷和輸出電荷確保了更快的開�(guān)速度,從而減少了開關(guān)損耗�
  4. 熱穩(wěn)定性強:支持高溫操作(最高結(jié)溫可�(dá)175℃),適合惡劣的工作條件�
  5. 高可靠性:�(jīng)過嚴(yán)格測�,具有長使用壽命和高�(wěn)定�,可滿足工業(yè)級應(yīng)用需��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 電機�(qū)動與控制
  4. 太陽能逆變�
  5. 電動工具及家電中的功率轉(zhuǎn)換模�
  6. 各種需要高電壓、大電流處理能力的電力電子系�(tǒng)

替代型號

IRFP460, STP12NM60, FDP15U60AE

hgtp12n60a4d推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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hgtp12n60a4d參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝400
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列-
  • IGBT 類型-
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)600V
  • Vge, Ic時的最大Vce(開�2.7V @ 15V�12A
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)54A
  • 功率 - 最�167W
  • 輸入類型�(biāo)�(zhǔn)�
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220AB
  • 包裝管件
  • 其它名稱HGTP12N60A4D_NLHGTP12N60A4D_NL-ND