時間：2025/5/29 11:19:20
閱讀：8
HGTP10N120BN是一款高性能的MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），適用于高頻和高功率應用。該器件采用先進的制造工藝，具備低導通電阻和快速開關(guān)特性，適合用于開關(guān)電源、逆變器、電機驅(qū)動等領(lǐng)域。
這款MOSFET屬于N溝道增強型器件，能夠有效降低傳導損耗并提高系統(tǒng)效率。其封裝形式通常為TO-247或TO-220，便于散熱管理。
最大漏源電壓：1200V
連續(xù)漏極電流：10A
導通電阻：150mΩ
柵極電荷：65nC
總電容：320pF
工作溫度范圍：-55℃至175℃
HGTP10N120BN的主要特性包括：
1. 高耐壓能力，最大漏源電壓可達1200V，適合高壓應用場景。
2. 低導通電阻設(shè)計，有助于減少導通狀態(tài)下的功率損耗。
3. 快速開關(guān)速度，柵極電荷較低，可實現(xiàn)高效的開關(guān)操作。
4. 良好的熱穩(wěn)定性，可在極端溫度條件下正常工作。
5. 強大的電流處理能力，連續(xù)漏極電流達到10A，滿足大功率需求。
6. 兼容性良好，易于與其他電路元件集成。
HGTP10N120BN廣泛應用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
2. 太陽能逆變器的核心功率開關(guān)組件。
3. 工業(yè)設(shè)備中的電機驅(qū)動控制。
4. 電動汽車充電裝置的功率調(diào)節(jié)單元。
5. 不間斷電源（UPS）系統(tǒng)中的關(guān)鍵功率器件。
6. 各類高頻功率變換器和電子負載。
IRG4PC30KD
FDP18N120
STW97N12MD2
