HGTG30N60A4D是一款由Hitachi(日立)制造的高壓MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件屬于N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,主要應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及工業(yè)控制等領(lǐng)域。它具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,適合于需要高效率和快速響�(yīng)的應(yīng)用場(chǎng)景�
該型�(hào)中的具體參數(shù)定義如下�30代表最大漏極電流為30A;N表示N溝道�60表示耐壓值為600V;A4D是產(chǎn)品系列代�(hào)�
最大漏源電壓:600V
最大連續(xù)漏極電流�30A
最大柵極源極電壓:±20V
�(dǎo)通電阻(典型值)�150mΩ
總功耗:175W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
封裝形式:TO-247
HGTG30N60A4D采用先�(jìn)的制造工�,具備以下顯著特性:
1. 高耐壓能力,能夠承受高�(dá)600V的漏源電壓,適用于高壓環(huán)��
2. 極低的導(dǎo)通電�,僅�150mΩ(典型值),從而減少導(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)性能,具有較小的輸入電容和輸出電�,可以實(shí)�(xiàn)更高的開�(guān)頻率�
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能夠在極端溫度條件下可靠運(yùn)行�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
6. 封裝牢固耐用,適合大功率散熱需��
HGTG30N60A4D廣泛�(yīng)用于各種電力電子�(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)和適配��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器及逆變��
3. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
5. 新能源領(lǐng)�,如太陽(yáng)能微逆變器和�(fēng)力發(fā)電控制器�
6. 汽車電子系統(tǒng)中的輔助功能模塊,例如電�(dòng)車窗和座椅加熱控��
IRFP460, STP30NF60, FDP18N65C3