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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > HGTG30N60A4D

HGTG30N60A4D 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 15:23:31 查看 閱讀�23

HGTG30N60A4D是一款由Hitachi(日立)制造的高壓MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件屬于N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,主要應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及工業(yè)控制等領(lǐng)域。它具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,適合于需要高效率和快速響�(yīng)的應(yīng)用場(chǎng)景�
  該型�(hào)中的具體參數(shù)定義如下�30代表最大漏極電流為30A;N表示N溝道�60表示耐壓值為600V;A4D是產(chǎn)品系列代�(hào)�

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  最大連續(xù)漏極電流�30A
  最大柵極源極電壓:±20V
  �(dǎo)通電阻(典型值)�150mΩ
  總功耗:175W
  工作溫度范圍�-55℃至+150�
  封裝形式:TO-247

特�

HGTG30N60A4D采用先�(jìn)的制造工�,具備以下顯著特性:
  1. 高耐壓能力,能夠承受高�(dá)600V的漏源電壓,適用于高壓環(huán)��
  2. 極低的導(dǎo)通電�,僅�150mΩ(典型值),從而減少導(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率�
  3. 快速開�(guān)性能,具有較小的輸入電容和輸出電�,可以實(shí)�(xiàn)更高的開�(guān)頻率�
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能夠在極端溫度條件下可靠運(yùn)行�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
  6. 封裝牢固耐用,適合大功率散熱需��

�(yīng)�

HGTG30N60A4D廣泛�(yīng)用于各種電力電子�(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)和適配��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器及逆變��
  3. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
  5. 新能源領(lǐng)�,如太陽(yáng)能微逆變器和�(fēng)力發(fā)電控制器�
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的輔助功能模塊,例如電�(dòng)車窗和座椅加熱控��

替代型號(hào)

IRFP460, STP30NF60, FDP18N65C3

hgtg30n60a4d推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

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hgtg30n60a4d參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power ProcessingSMPS Power Switch
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝150
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列-
  • IGBT 類型-
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)600V
  • Vge, Ic�(shí)的最大Vce(開�2.6V @ 15V�30A
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)75A
  • 功率 - 最�463W
  • 輸入類型�(biāo)�(zhǔn)�
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-3P-3,SC-65-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-247AD
  • 包裝管件
  • 其它名稱HGTG30N60A4D_NLHGTG30N60A4D_NL-ND