時間：2025/5/22 18:56:28
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HGTG20N60B3 是一款基于超結(jié)（Super Junction）技術(shù)的 N 溝道增強型功率 MOSFET。該器件適用于高電壓、高效率的應(yīng)用場景，例如開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及逆變器等。其設(shè)計旨在提供低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能，從而降低功耗并提高系統(tǒng)效率。
這款 MOSFET 的最大漏源極耐壓為 600V，使其非常適合在高壓環(huán)境中使用。同時，它的導(dǎo)通電阻較低，能夠有效減少傳導(dǎo)損耗。
最大漏源極電壓：600V
連續(xù)漏極電流：20A
導(dǎo)通電阻（典型值）：150mΩ
柵極-源極電壓（最大值）：±20V
總電荷量（Qg）：80nC
反向傳輸電容（Crss）：45pF
開關(guān)速度：快速
封裝形式：TO-247
HGTG20N60B3 具有以下顯著特性：
1. 超結(jié)技術(shù)的應(yīng)用使得該 MOSFET 在保持高電壓耐受能力的同時，實現(xiàn)了更低的導(dǎo)通電阻和更小的寄生電容，從而提高了整體效率。
2. 快速開關(guān)特性降低了開關(guān)損耗，適合高頻應(yīng)用。
3. 低反向恢復(fù)電荷和體二極管優(yōu)化設(shè)計，有助于減少振蕩和電磁干擾問題。
4. 極高的雪崩擊穿能力和魯棒性，確保在異常條件下依然可靠工作。
5. 工業(yè)標準 TO-247 封裝，便于集成到各種電路設(shè)計中。
HGTG20N60B3 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)模式電源（SMPS），包括 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 電機驅(qū)動與控制，如無刷直流電機（BLDC）和步進電機。
3. 太陽能逆變器及儲能系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
4. 高效 LED 驅(qū)動電路。
5. 各種工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理單元。
6. 電動車充電基礎(chǔ)設(shè)施中的功率開關(guān)元件。
HGTG20N60D3, IRFP460, FDP18N60C
