HGT1S7N60A4DS9A是一款高性能的MOSFET功率晶體�,采用先�(jìn)的制造工�,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(chǎng)�。該器件具有低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于要求高效率和高可靠性的電路�(shè)�(jì)�
這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)�,通過(guò)柵極電壓控制漏極與源極之間的�(dǎo)通狀�(tài)。其封裝形式為TO-252(DPAK�,具有良好的散熱性能和緊湊的尺寸,便于在空間受限的應(yīng)用中使用�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�4.3A
�(dǎo)通電阻:16mΩ
柵極電荷�9nC
總電容:840pF
工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�
1. 高擊穿電�,確保在高壓�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
2. 極低的導(dǎo)通電阻,降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
4. 小型化封裝,節(jié)省PCB空間�
5. 寬溫度范圍支�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條件�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
1. 開關(guān)電源中的同步整流��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)開關(guān)�
3. �(fù)載切換和保護(hù)電路�
4. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心開�(guān)元件�
5. LED照明�(qū)�(dòng)中的功率控制部分�
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模��
HGT1S7N60A4DS8A, IRFZ44N, FDP5800