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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > HGT1S7N60A4DS9A

HGT1S7N60A4DS9A 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 11:22:38 查看 閱讀�33

HGT1S7N60A4DS9A是一款高性能的MOSFET功率晶體�,采用先�(jìn)的制造工�,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(chǎng)�。該器件具有低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于要求高效率和高可靠性的電路�(shè)�(jì)�
  這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)�,通過(guò)柵極電壓控制漏極與源極之間的�(dǎo)通狀�(tài)。其封裝形式為TO-252(DPAK�,具有良好的散熱性能和緊湊的尺寸,便于在空間受限的應(yīng)用中使用�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�4.3A
  �(dǎo)通電阻:16mΩ
  柵極電荷�9nC
  總電容:840pF
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�

特�

1. 高擊穿電�,確保在高壓�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  2. 極低的導(dǎo)通電阻,降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
  3. 快速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
  4. 小型化封裝,節(jié)省PCB空間�
  5. 寬溫度范圍支�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條件�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源中的同步整流��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)開關(guān)�
  3. �(fù)載切換和保護(hù)電路�
  4. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心開�(guān)元件�
  5. LED照明�(qū)�(dòng)中的功率控制部分�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模��

替代型號(hào)

HGT1S7N60A4DS8A, IRFZ44N, FDP5800

hgt1s7n60a4ds9a推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

hgt1s7n60a4ds9a�(chǎn)�