HFJ11-1G02E是一種高性能的功率MOSFET晶體�,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和DC-DC�(zhuǎn)換等場景。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,在保證低導(dǎo)通電阻的同時(shí)具備出色的開�(guān)性能。其封裝形式為TO-252(DPAK�,具有良好的散熱性能,適合中高功率應(yīng)用場��
這種功率MOSFET的特�(diǎn)是能夠在高頻工作條件下保持高效的能量�(zhuǎn)�,并且在�(fù)載瞬變時(shí)提供�(wěn)定的電流輸出。由于其較低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,HFJ11-1G02E非常適合于需要高效能和小體積的設(shè)�(jì)�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�2.8A
�(dǎo)通電阻:40mΩ
總功耗:1.1W
工作溫度范圍�-55℃至175�
HFJ11-1G02E采用N溝道增強(qiáng)型技�(shù),具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少功率損�,提高整體效��
2. 高速開�(guān)能力,支持高�(dá)1MHz的工作頻��
3. �(nèi)置ESD保護(hù)電路,增�(qiáng)了器件的可靠��
4. 小型化的TO-252封裝,便于PCB布局和安裝�
5. �(yōu)異的熱穩(wěn)定�,確保在高溫�(huán)境下依然能夠�(wěn)定工作�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�
HFJ11-1G02E廣泛�(yīng)用于多種電子�(shè)備中,主要包括:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. 直流-直流�(zhuǎn)換器(DC-DC Converter�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
4. �(fù)載開�(guān)
5. 電池管理模塊
6. LED�(qū)�(dòng)電路
7. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率調(diào)節(jié)模塊
IRF7404
AO3400
FDP017N06L