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HFJ11-1G02E 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/19 16:14:00 查看 閱讀�19

HFJ11-1G02E是一種高性能的功率MOSFET晶體�,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和DC-DC�(zhuǎn)換等場景。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,在保證低導(dǎo)通電阻的同時(shí)具備出色的開�(guān)性能。其封裝形式為TO-252(DPAK�,具有良好的散熱性能,適合中高功率應(yīng)用場��
  這種功率MOSFET的特�(diǎn)是能夠在高頻工作條件下保持高效的能量�(zhuǎn)�,并且在�(fù)載瞬變時(shí)提供�(wěn)定的電流輸出。由于其較低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,HFJ11-1G02E非常適合于需要高效能和小體積的設(shè)�(jì)�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�2.8A
  �(dǎo)通電阻:40mΩ
  總功耗:1.1W
  工作溫度范圍�-55℃至175�

特�

HFJ11-1G02E采用N溝道增強(qiáng)型技�(shù),具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少功率損�,提高整體效��
  2. 高速開�(guān)能力,支持高�(dá)1MHz的工作頻��
  3. �(nèi)置ESD保護(hù)電路,增�(qiáng)了器件的可靠��
  4. 小型化的TO-252封裝,便于PCB布局和安裝�
  5. �(yōu)異的熱穩(wěn)定�,確保在高溫�(huán)境下依然能夠�(wěn)定工作�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�

�(yīng)�

HFJ11-1G02E廣泛�(yīng)用于多種電子�(shè)備中,主要包括:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. 直流-直流�(zhuǎn)換器(DC-DC Converter�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
  4. �(fù)載開�(guān)
  5. 電池管理模塊
  6. LED�(qū)�(dòng)電路
  7. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率調(diào)節(jié)模塊

替代型號

IRF7404
  AO3400
  FDP017N06L

hfj11-1g02e推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
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