HF46F-G/012-H1T(610) 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開關電源、電機驅動和負載切換等應用領域。該器件采用了先進的制造工藝,具備低導通電阻和高開關速度的特點,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率。
這款芯片通常被用于工業(yè)控制、消費電子以及汽車電子等領域,其封裝形式和電氣特性使其非常適合對效率和可靠性要求較高的場景。
型號:HF46F-G/012-H1T(610)
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):120A
導通電阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型值,在Vgs=10V時)
總功耗(Ptot):150W
結溫范圍(Tj):-55°C至+175°C
封裝形式:TO-247
1. 極低的導通電阻 (Rds(on)),可顯著減少導通損耗。
2. 高速開關性能,支持高頻工作環(huán)境。
3. 較高的雪崩耐量能力,增強了器件的魯棒性。
4. 內置ESD保護電路,提高了抗靜電能力。
5. 支持大電流運行,適合高功率應用場景。
6. 工作溫度范圍寬廣,適應各種惡劣環(huán)境。
7. 符合RoHS標準,環(huán)保且可靠。
1. 開關電源(SMPS)中的功率轉換模塊。
2. 直流電機驅動及控制電路。
3. 負載切換與保護電路。
4. 逆變器和不間斷電源(UPS)系統(tǒng)。
5. 汽車電子設備中的功率管理。
6. 工業(yè)自動化設備中的功率控制單元。
7. LED照明驅動電路。
IRFZ44N
STP120N10
FDP150N10A
IXFN120N10T2