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HCNW4504-500E 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/9 18:21:52 查看 閱讀�26

HCNW4504-500E是一款高功率密度的氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET),專為高頻、高效能�(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì)。這款器件采用先�(jìn)的氮化鎵技�(shù),提供卓越的�(kāi)�(guān)性能和低�(dǎo)通電阻特性,能夠顯著提升電源�(zhuǎn)換效�。它廣泛�(yīng)用于通信基站、數(shù)�(jù)中心電源、工�(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)及太�(yáng)能逆變器等�(lǐng)��
  該芯片以出色的熱性能和可靠性著�,支持更高的工作頻率和更小的體積解決方案,從而滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)緊湊性和效能的雙重需��

參數(shù)

型號(hào):HCNW4504-500E
  類型:增�(qiáng)型氮化鎵�(chǎng)效應(yīng)晶體�
  額定電壓�650V
  額定電流�50A
  �(dǎo)通電阻:40mΩ
  柵極電荷�75nC
  輸入電容�1200pF
  最大結(jié)溫:175°C
  封裝形式:TO-247-4L

特�

HCNW4504-500E具有以下顯著特性:
  1. 高效�(kāi)�(guān)能力:得益于氮化鎵材料的�(dú)特屬�,其�(kāi)�(guān)速度�(yuǎn)高于傳統(tǒng)硅基MOSFET,可�(shí)�(xiàn)高達(dá)幾兆赫茲的工作頻��
  2. 低導(dǎo)通電阻:40mΩ的超低RDS(on)極大減少了傳�(dǎo)損�,提高了整體系統(tǒng)效率�
  3. 出色的熱性能:芯片具備優(yōu)秀的散熱設(shè)�(jì),確保在高溫�(huán)境下依然保持�(wěn)定運(yùn)��
  4. 增強(qiáng)的可靠性:通過(guò)�(yán)格的�(zhì)量控制流程和�(cè)試驗(yàn)�,保證產(chǎn)品在極端條件下的�(zhǎng)期穩(wěn)定��
  5. 緊湊封裝:使用標(biāo)�(zhǔn)TO-247-4L封裝,便于集成到�(xiàn)有電路板�(shè)�(jì)�,同�(shí)�(jiǎn)化了散熱管理�

�(yīng)�

HCNW4504-500E適用于多種高性能�(yīng)用場(chǎng)�,包括但不限于:
  1. �(shù)�(jù)中心電源供應(yīng)單元(PSU�
  2. 太陽(yáng)能光伏逆變�
  3. 電動(dòng)車車載充電器(OBC�
  4. 通信基站電源模塊
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的高頻DC-DC�(zhuǎn)換器
  6. 高效AC-DC適配�
  這些�(yīng)用均需要高效率、高頻率以及小尺寸的解決方案,而HCNW4504-500E正是為此類需求量身定��

替代型號(hào)

HCNW4504-400E
  HCNW4504-600E

hcnw4504-500e推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

hcnw4504-500e參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表HCPL-4504/J454/0454, HCNW4504
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝750
  • 類別隔離�
  • 家庭光隔離器 - 晶體管,光電輸出
  • 系列-
  • 通道�(shù)1
  • 輸入類型DC
  • 電壓 - 隔離5000Vrms
  • 電流傳輸比(最小值)19% @ 16mA
  • 電流傳輸比(最大)63% @ 16mA
  • 輸出電壓20V
  • 電流 - 輸出 / 通道8mA
  • 電流 - DC 正向(If)25mA
  • Vce飽和(最大)-
  • 輸出類型� Vcc 的晶體管
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SMD,鷗翼型
  • 包裝帶卷 (TR)