HCNW4504-500E是一款高功率密度的氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET),專為高頻、高效能�(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì)。這款器件采用先�(jìn)的氮化鎵技�(shù),提供卓越的�(kāi)�(guān)性能和低�(dǎo)通電阻特性,能夠顯著提升電源�(zhuǎn)換效�。它廣泛�(yīng)用于通信基站、數(shù)�(jù)中心電源、工�(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)及太�(yáng)能逆變器等�(lǐng)��
該芯片以出色的熱性能和可靠性著�,支持更高的工作頻率和更小的體積解決方案,從而滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)緊湊性和效能的雙重需��
型號(hào):HCNW4504-500E
類型:增�(qiáng)型氮化鎵�(chǎng)效應(yīng)晶體�
額定電壓�650V
額定電流�50A
�(dǎo)通電阻:40mΩ
柵極電荷�75nC
輸入電容�1200pF
最大結(jié)溫:175°C
封裝形式:TO-247-4L
HCNW4504-500E具有以下顯著特性:
1. 高效�(kāi)�(guān)能力:得益于氮化鎵材料的�(dú)特屬�,其�(kāi)�(guān)速度�(yuǎn)高于傳統(tǒng)硅基MOSFET,可�(shí)�(xiàn)高達(dá)幾兆赫茲的工作頻��
2. 低導(dǎo)通電阻:40mΩ的超低RDS(on)極大減少了傳�(dǎo)損�,提高了整體系統(tǒng)效率�
3. 出色的熱性能:芯片具備優(yōu)秀的散熱設(shè)�(jì),確保在高溫�(huán)境下依然保持�(wěn)定運(yùn)��
4. 增強(qiáng)的可靠性:通過(guò)�(yán)格的�(zhì)量控制流程和�(cè)試驗(yàn)�,保證產(chǎn)品在極端條件下的�(zhǎng)期穩(wěn)定��
5. 緊湊封裝:使用標(biāo)�(zhǔn)TO-247-4L封裝,便于集成到�(xiàn)有電路板�(shè)�(jì)�,同�(shí)�(jiǎn)化了散熱管理�
HCNW4504-500E適用于多種高性能�(yīng)用場(chǎng)�,包括但不限于:
1. �(shù)�(jù)中心電源供應(yīng)單元(PSU�
2. 太陽(yáng)能光伏逆變�
3. 電動(dòng)車車載充電器(OBC�
4. 通信基站電源模塊
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的高頻DC-DC�(zhuǎn)換器
6. 高效AC-DC適配�
這些�(yīng)用均需要高效率、高頻率以及小尺寸的解決方案,而HCNW4504-500E正是為此類需求量身定��
HCNW4504-400E
HCNW4504-600E