H9TKNNN8JDAPLR-NGH 時(shí)間：2025/5/31 3:00:00 閱讀：7

H9TKNNN8JDAPLR-NGH 是一款由 SK 海力士（SK Hynix）生產(chǎn)的 NAND 閃存芯片，主要應(yīng)用于嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備、固態(tài)硬盤（SSD）、UFS 存儲(chǔ)模塊以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品的存儲(chǔ)解決方案中。該芯片采用了先進(jìn)的 TLC（Triple-Level Cell）技術(shù)，能夠以較低的成本提供大容量的存儲(chǔ)空間，同時(shí)保持較高的讀寫(xiě)性能和可靠性。
　　這款芯片的設(shè)計(jì)注重在移動(dòng)設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)（IoT）領(lǐng)域中的應(yīng)用，適合需要高密度存儲(chǔ)但對(duì)成本敏感的應(yīng)用場(chǎng)景。

參數(shù)

容量：512GB
　　接口類型：Toggle DDR 3.0
　　工作電壓：1.8V
　　封裝形式：BGA
　　I/O 引腳數(shù)：78
　　擦寫(xiě)壽命：約 1000 次
　　數(shù)據(jù)保留時(shí)間：最低 1 年（在 25°C 下）
　　工作溫度范圍：-25°C 至 +85°C
　　傳輸速率：最高可達(dá) 800MT/s

特性

H9TKNNN8JDAPLR-NGH 芯片采用 TLC 架構(gòu)，提供了出色的性價(jià)比。其 Toggle DDR 3.0 接口使得數(shù)據(jù)傳輸速率大幅提升，適用于高速存儲(chǔ)需求的場(chǎng)景。
　　此外，該芯片具有以下特點(diǎn)：
　　1. 高密度存儲(chǔ)能力，單顆芯片即可提供高達(dá) 512GB 的存儲(chǔ)空間。
　　2. 低功耗設(shè)計(jì)，非常適合電池供電的便攜式設(shè)備。
　　3. 穩(wěn)定性高，在各種環(huán)境條件下均能保持可靠運(yùn)行。
　　4. 支持多種 ECC 校正方案，有效提高數(shù)據(jù)完整性。
　　5. 符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)，便于與現(xiàn)有系統(tǒng)兼容。

應(yīng)用

H9TKNNN8JDAPLR-NGH 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 移動(dòng)設(shè)備：智能手機(jī)、平板電腦等需要大容量存儲(chǔ)的設(shè)備。
　　2. 固態(tài)硬盤：用于消費(fèi)級(jí)和企業(yè)級(jí) SSD 中的存儲(chǔ)介質(zhì)。
　　3. 嵌入式系統(tǒng)：工業(yè)控制、車載電子、醫(yī)療設(shè)備等需要穩(wěn)定存儲(chǔ)的場(chǎng)合。
　　4. 物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備：智能家居、可穿戴設(shè)備等需要高效能存儲(chǔ)的終端產(chǎn)品。
　　5. 數(shù)字多媒體設(shè)備：如數(shù)字電視、機(jī)頂盒等需要存儲(chǔ)大量媒體內(nèi)容的設(shè)備。