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H9HCNNNFBMALPR-NEE 發(fā)布時間 時間�2025/5/10 14:43:34 查看 閱讀�23

H9HCNNNFBMALPR-NEE 是一款由 SK 海力士(SK Hynix)生�(chǎn)� NAND 閃存芯片,主要應(yīng)用于嵌入式系�(tǒng)、消費類電子�(shè)備和工業(yè)存儲解決方案�。該型號屬于 eMCP(封裝中的嵌入式多芯片封裝)系列,內(nèi)部集成了 NAND 閃存和移� DRAM,以提供高密度存儲和快速數(shù)�(jù)處理能力。它采用 BGA 封裝形式,具有小型化、高性能的特�,適合需要大容量存儲和低功耗的便攜式設(shè)備�

參數(shù)

類型:NAND 閃存
  容量�32GB
  接口:eMMC 5.1
  工作電壓�1.8V/3.3V
  封裝形式:FBGA
  I/O 引腳�(shù)�169
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  �(shù)�(jù)傳輸速率:最� 400MB/s
  擦寫壽命�3000 �

特�

H9HCNNNFBMALPR-NEE 的設(shè)計結(jié)合了高性能與可靠�,其特點如下�
  1. 高密度集成:� NAND 閃存� DRAM 組合在一個封裝內(nèi),減少了 PCB 占用空間�
  2. 快速數(shù)�(jù)傳輸:支� eMMC 5.1 �(biāo)�(zhǔn),具備高效的讀寫性能�
  3. 低功耗設(shè)計:�(yōu)化的電路�(jié)�(gòu)使其在運行和待機(jī)模式下均保持較低功耗�
  4. 廣泛的工作溫度范圍:能夠適應(yīng)各種�(huán)境條件下的應(yīng)用需��
  5. �(wěn)定性高:經(jīng)過嚴(yán)格測�,確保在長時間使用后仍能保持?jǐn)?shù)�(jù)完整��

�(yīng)�

H9HCNNNFBMALPR-NEE 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 智能手機(jī)和平板電腦:為移動設(shè)備提供大容量存儲和快速啟動功能�
  2. 可穿戴設(shè)備:適用于對體積和功耗要求較高的可穿戴產(chǎn)��
  3. 工業(yè)控制:用于工�(yè)自動化設(shè)備的�(shù)�(jù)記錄與存儲�
  4. �(yī)療設(shè)備:滿足�(yī)療儀器對�(wěn)定性和可靠性的�(yán)格要��
  5. 車載娛樂系統(tǒng):支持高清視頻播放及�(dǎo)航地圖存儲等�(fù)雜任�(wù)�

替代型號

H9TQNNNFBMALPBR-NEE
  H9HPAQNFBMALPBR-NEE
  H9HPAJNFBMALPBR-NEE

h9hcnnnfbmalpr-nee推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
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