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H9HCNNNCPMMLXR-NEE 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 10:27:53 查看 閱讀�21

H9HCNNNCPMMLXR-NEE 是一款由海力士(SK Hynix)生�(chǎn)的存�(chǔ)類芯�,具體屬� NAND Flash 系列。該型號(hào)主要�(yīng)用于需要大容量�(shù)�(jù)存儲(chǔ)的場(chǎng)�,例如固�(tài)硬盤(SSD�、U�、嵌入式系統(tǒng)以及消費(fèi)電子�(shè)備等。其�(shè)�(jì)符合�(xiàn)� NAND Flash 的高性能和高可靠性的�(biāo)�(zhǔn),能夠提供快速的�(shù)�(jù)讀寫速度和較�(zhǎng)的使用壽��

參數(shù)

類型:NAND Flash
  容量�256Gb (32GB)
  接口:Toggle Mode 2.0
  工作電壓�1.8V/3.3V
  封裝形式:WSP(Wafer Level Stack Package�
  �(yè)�?�?6KB
  塊大?�?MB
  通道�(shù)�
  I/O性能:最高可�(dá)400MT/s
  擦寫壽命�3000� (典型�)
  �(shù)�(jù)保持�(shí)間:10�

特�

H9HCNNNCPMMLXR-NEE 具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 高性能:采� Toggle Mode 2.0 接口,數(shù)�(jù)傳輸速率可達(dá) 400MT/s,適用于�(duì)速度要求較高的應(yīng)��
  2. 大容量:?jiǎn)晤w芯片容量� 256Gb (32GB),適合需要大存儲(chǔ)空間的設(shè)�(jì)�
  3. 小型化封裝:使用 WSP 封裝技�(shù),有助于減少 PCB 占用面積,非常適合空間受限的�(yīng)用環(huán)��
  4. 可靠性:具備較長(zhǎng)的數(shù)�(jù)保持�(shí)間和較高的擦寫壽�,確保在各種工作條件下的�(wěn)定��
  5. 節(jié)能高效:支持多種省電模式,降低功�,延�(zhǎng)�(shè)備電池續(xù)航時(shí)��

�(yīng)�

H9HCNNNCPMMLXR-NEE 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 固態(tài)硬盤(SSD):作為主存�(chǔ)介質(zhì),提供大容量和高性能的數(shù)�(jù)存儲(chǔ)能力�
  2. 嵌入式系�(tǒng):用于工�(yè)控制、車載系�(tǒng)等需要穩(wěn)定性和高性能的嵌入式�(yīng)��
  3. 消費(fèi)電子�(chǎn)品:如智能手�(jī)、平板電�、數(shù)碼相�(jī)�,提供可靠的存儲(chǔ)解決方案�
  4. USB 存儲(chǔ)�(shè)備:� U 盤和移動(dòng)硬盤,滿足消�(fèi)者對(duì)便攜式存�(chǔ)的需求�

替代型號(hào)

H9HCNNNCPMMCLR-NEE
  H9HCNNNCPMMLUR-NEE

h9hcnnncpmmlxr-nee推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)