H7N1004DSTL-E 是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),主要應(yīng)用于高頻開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換場�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度以及出色的熱性能,適合在高效率要求的�(yīng)用中使用�
這款芯片通常用于電源管理、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等場�,能夠顯著提高電路的能效并減少發(fā)熱問��
型號:H7N1004DSTL-E
類型:N-Channel MOSFET
Vds(漏源電壓)�100V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�4mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):36A
Qg(柵極電荷)�59nC
Vgs(th)(閾值電壓)�2.8V
fT(截止頻率)�1.8MHz
封裝形式:TO-263 (D2PAK)
工作溫度范圍�-55� � +175�
H7N1004DSTL-E 的核心優(yōu)勢在于其卓越的電氣特性和可靠性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(4mΩ�,可以有效降低功�,并提升系統(tǒng)效率�
2. 快速的開關(guān)性能,得益于其較小的柵極電荷�59nC�,使得它非常適合高頻�(yīng)��
3. 高額定漏極電流(36A�,能夠在大電流負(fù)載下�(wěn)定運(yùn)��
4. 較寬的工作溫度范圍(-55℃至+175℃),保證了器件在極端環(huán)境下的可靠表�(xiàn)�
5. 采用了D2PAK封裝,具備良好的散熱性能和堅(jiān)固的�(jī)械結(jié)�(gòu),便于表面貼裝技�(shù)(SMT)生�(chǎn)�
6. 支持高效的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�,如同步整流、降�/升壓�(zhuǎn)換器及電�(jī)控制等場��
H7N1004DSTL-E 廣泛適用于多種電力電子設(shè)備和系統(tǒng)�
1. 開關(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì)中的主功率級開關(guān)元件�
2. 同步整流器電路中的關(guān)鍵組��
3. DC-DC�(zhuǎn)換器,特別是需要高效率和高頻工作的場合�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保�(hù)開關(guān)�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)��
6. LED�(qū)�(dòng)器和汽車電子系統(tǒng)中的功率�(diào)節(jié)模塊�
此外,由于其�(yōu)秀的熱管理和電氣特�,此器件也被推薦用于空間有限但功率需求較高的�(yīng)用領(lǐng)��
H7N1006PSTL-E, IRFZ44N, FDN368N