H5TQ2G63GFR-TEC 是一款由海力士(SK Hynix)生�(chǎn)的閃存芯片,屬于 3D NAND TLC 類型。該芯片采用先�(jìn)的制程技�(shù),主要應(yīng)用于需要大容量存儲的場�,例如固�(tài)硬盤(SSD�、嵌入式存儲�(shè)備以及移動設(shè)備等。其�(shè)�(jì)注重高密�、低功耗和高性能,能夠滿足現(xiàn)代數(shù)�(jù)存儲的需��
該型號具� 2TB 的存儲容量(原始容量),并支持高速接口以�(shí)�(xiàn)快速數(shù)�(jù)傳輸。此外,它還通過�(nèi)置的 ECC(錯(cuò)誤校正碼)技�(shù)提升了數(shù)�(jù)可靠��
容量�2048GB
類型�3D NAND TLC
接口:Toggle DDR 4.0
VCC 電壓�1.8V
VPP 電壓:無(內(nèi)部生成)
封裝:BGA
工作溫度�-25°C � +85°C
I/O 電壓�1.8V
頁大?�?6KB
區(qū)塊大小:� 768MB
通道�(shù)�
H5TQ2G63GFR-TEC 提供了卓越的性能和可靠�,特別適合需要高密度存儲的應(yīng)用場�。其主要特性包括:
1. 高密度存儲:采用先�(jìn)� 3D NAND 技�(shù)堆疊多層單元,從而在較小的體積內(nèi)�(shí)�(xiàn)大容量存儲�
2. 低功耗設(shè)�(jì):優(yōu)化了芯片的工作狀�(tài),有效降低運(yùn)行時(shí)的能��
3. 高速接口支持:兼容 Toggle DDR 4.0 接口,提供更快的�(shù)�(jù)傳輸速度�
4. �(nèi)� ECC 功能:增�(qiáng)了數(shù)�(jù)的完整性和可靠��
5. 良好的耐用性:�(jīng)過嚴(yán)格的測試流程,確保在各種�(huán)境下均能�(wěn)定運(yùn)行�
H5TQ2G63GFR-TEC 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 固態(tài)硬盤(SSD):作為主存儲介�(zhì),為 SSD 提供大容量和高性能�
2. 嵌入式系�(tǒng):用于工�(yè)控制、網(wǎng)�(luò)�(shè)備和物聯(lián)�(wǎng)終端中,提供可靠的存儲解決方��
3. 移動�(shè)備:如平板電腦和智能手機(jī),滿足用戶對高容量存儲的需��
4. �(shù)�(jù)中心:適用于企業(yè)級存儲陣列,保障�(guān)鍵數(shù)�(jù)的安全與高效訪問�
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:包括�(shù)碼相�(jī)、機(jī)頂盒等需要外部存儲擴(kuò)展的�(shè)��
H5TC4G63CMR-TFC, H5TC8G63CMR-TFC