H5TQ2G63DFR-N0C 時(shí)間：2025/5/30 12:49:04 閱讀：5

H5TQ2G63DFR-N0C 是由海力士（SK Hynix）生產(chǎn)的一款 DDR5 SDRAM 內(nèi)存顆粒芯片，廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、服務(wù)器、臺(tái)式機(jī)和筆記本電腦等設(shè)備中。DDR5 作為新一代內(nèi)存技術(shù)，相比 DDR4 提供了更高的頻率、更大的帶寬以及更低的功耗。該型號(hào)采用 BGA 封裝形式，具備高密度存儲(chǔ)能力。

參數(shù)

類型：DDR5 SDRAM
　　容量：2Gb (256Mb x 8)
　　核心電壓：1.1V
　　I/O 電壓：1.1V
　　數(shù)據(jù)速率：4800MT/s - 5600MT/s
　　封裝：BGA 72-ball
　　工作溫度：-40°C ~ +85°C
　　引腳間距：1.0mm
　　功能模式：x4/x8/x16

特性

H5TQ2G63DFR-N0C 支持 DDR5 的多項(xiàng)關(guān)鍵特性，包括 On-Die ECC（片上糾錯(cuò)碼），可有效提升數(shù)據(jù)傳輸?shù)目煽啃�。同時(shí)支持 DBI（Data Bus Inversion，數(shù)據(jù)總線反轉(zhuǎn)）技術(shù)以優(yōu)化信號(hào)完整性，并通過改進(jìn)的電源管理架構(gòu)降低功耗。
　　此外，該芯片具備雙通道架構(gòu)設(shè)計(jì)，允許在單個(gè) DIMM 上實(shí)現(xiàn)更高的帶寬。其內(nèi)置的 PMIC（電源管理集成電路）進(jìn)一步增強(qiáng)了對(duì)電壓波動(dòng)的控制能力，確保穩(wěn)定運(yùn)行。
　　H5TQ2G63DFR-N0C 還支持 CA Training 和 Read/Write Leveling 等訓(xùn)練機(jī)制，以適配不同系統(tǒng)環(huán)境下的時(shí)序需求。

應(yīng)用

這款內(nèi)存顆粒適用于構(gòu)建高性能計(jì)算機(jī)內(nèi)存模組（如 UDIMM、SO-DIMM 和 RDIMM）。它常見于以下場(chǎng)景：
　　1. 數(shù)據(jù)中心和企業(yè)級(jí)服務(wù)器。
　　2. 高端桌面和游戲平臺(tái)。
　　3. 筆記本電腦和其他移動(dòng)設(shè)備。
　　4. 工業(yè)級(jí)和嵌入式系統(tǒng)中的高速數(shù)據(jù)處理任務(wù)。
　　由于其高頻率和大容量特點(diǎn)，H5TQ2G63DFR-N0C 特別適合需要大量數(shù)據(jù)交換和復(fù)雜運(yùn)算的應(yīng)用場(chǎng)合。