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H5MS1G62AFRJ3M 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 19:51:44 查看 閱讀�4

H5MS1G62AFRJ3M 是由海力士(SK Hynix)生�(chǎn)的一款DDR4 SDRAM�(nèi)存顆粒芯�。該芯片廣泛�(yīng)用于�(tái)式電腦、筆記本電腦、服�(wù)器以及其他需要高性能�(nèi)存的電子�(shè)備中,具備高帶寬、低功耗的特點(diǎn),能夠顯著提升系�(tǒng)的整體性能�
  該芯片采用了先�(jìn)的制程工�,支持更高的�(shù)�(jù)傳輸速率和更低的工作電壓,從而為�(xiàn)代計(jì)算設(shè)備提供了可靠的內(nèi)存解決方��

參數(shù)

容量�8Gb (1GB)
  類型:DDR4 SDRAM
  封裝:BGA 78-ball
  工作電壓�1.2V
  �(shù)�(jù)速率�2400Mbps
  I/O寬度:x8/x16
  溫度范圍�-40°C ~ +85°C
  引腳間距�1mm
  工作溫度:Commercial (0°C to 70°C), Industrial (-40°C to 85°C)

特�

H5MS1G62AFRJ3M 芯片具有以下主要特性:
  1. 高速數(shù)�(jù)傳輸:支持高�(dá)2400 Mbps的數(shù)�(jù)傳輸速率,滿足現(xiàn)代計(jì)算對(duì)�(nèi)存帶寬的需��
  2. 低功耗設(shè)�(jì):采�1.2V工作電壓,相比前一代DDR3�(nèi)存�(jìn)一步降低了功��
  3. 可靠性高:通過(guò)�(yán)格的�(cè)試流�,確保在各種�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
  4. 多種�(yīng)用支持:適用于臺(tái)式機(jī)、筆記本、工作站及服�(wù)器等多種�(chǎng)景�
  5. 先�(jìn)的制造工藝:使用更小的制程技�(shù),提高集成度的同�(shí)降低�(fā)��
  6. 引腳兼容性好:與主流主板和內(nèi)存條�(shè)�(jì)良好匹配,便于裝配和升級(jí)�

�(yīng)�

H5MS1G62AFRJ3M 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(tái)式計(jì)算機(jī):為主流PC提供高速內(nèi)存支持�
  2. 筆記本電腦:助力輕薄便攜�(shè)備實(shí)�(xiàn)高效�(yùn)算能��
  3. 服務(wù)器和�(shù)�(jù)中心:支持多任務(wù)處理和大�(shù)�(jù)分析等高性能需求�
  4. 嵌入式系�(tǒng):如工業(yè)控制、網(wǎng)�(luò)通信�(shè)備等,需要可靠且高效的內(nèi)存解決方��
  5. 游戲�(shè)備:為游戲主�(jī)或高端顯卡提供流暢的游戲體驗(yàn)�
  此外,該芯片也常用于其他需要大容量、高速度�(nèi)存的電子�(shè)備中�

替代型號(hào)

H5AN8G6NCMR-TFC, MT47H64M16FR-2G, K4A8G085WB-BGC0

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