H5ANBG6NAMR-XNC是SK海力士(SK Hynix)推出的一款DDR4 ECC UDIMM�(nèi)存模塊。該�(chǎn)品主要面向服�(wù)�、工作站以及其他對數(shù)�(jù)完整性要求較高的�(yīng)用環(huán)境,支持糾錯(cuò)碼(ECC)功能以提升�(shù)�(jù)的可靠��
這款�(nèi)存采用了先�(jìn)的制程工藝制�,能夠在保證高性能的同�(shí)降低功耗。其�(shè)�(jì)符合JEDEC DDR4�(biāo)�(zhǔn),并且具有高帶寬和低延遲的特�(diǎn),適用于需要處理大量數(shù)�(jù)的工作負(fù)載�
類型:DDR4 ECC UDIMM
容量�32GB
速度�3200MT/s
Vdd/Vddq�1.2V
引腳�(shù)�288Pin
工作溫度�0°C�70°C
封裝:FBGA
ECC支持:支�
H5ANBG6NAMR-XNC具備以下顯著特點(diǎn)�
1. 高速傳輸:采用DDR4技�(shù),提供高�(dá)3200MT/s的數(shù)�(jù)傳輸速率,能夠滿足現(xiàn)代計(jì)算環(huán)境中對內(nèi)存帶寬的需��
2. ECC功能:內(nèi)置糾�(cuò)碼機(jī)制,可檢測并糾正單比特錯(cuò)�,從而提高系�(tǒng)的可靠性和�(wěn)定性�
3. 節(jié)能環(huán)保:通過�(yōu)化電路設(shè)�(jì)和采�1.2V供電電壓,有效降低了能耗�
4. 兼容性強(qiáng):遵循JEDEC�(biāo)�(zhǔn)�(guī)�,易于與主流平臺集成�
5. �(wěn)定性好:經(jīng)過嚴(yán)格測�,確保在各種苛刻條件下均能保持良好性能�
該型號內(nèi)存廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(shù)�(jù)中心:為服務(wù)器提供高效穩(wěn)定的大容量存儲解決方��
2. 工作站:支持圖形密集型任�(wù)如CAD、視頻編輯等�
3. 高性能�(jì)算:用于科學(xué)仿真、機(jī)器學(xué)�(xí)等領(lǐng)域�
4. �(wǎng)�(luò)�(shè)備:路由�、交換機(jī)等關(guān)鍵網(wǎng)�(luò)基礎(chǔ)�(shè)施中使用�
此外,在任何需要高可靠性及大數(shù)�(jù)吞吐量的�(yīng)用場景下也都有所涉及�
H5AN8G6NAMR-XNC,H5AN4G6NAMR-XNC