時間：2025/5/22 23:18:35
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H5007NLT 是一款高性能的 N 溝道增強型 MOSFET（金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管）。該器件適用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、逆變器和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。其卓越的導通電阻特性與快速開關(guān)性能，使得 H5007NLT 在功率管理領(lǐng)域具有廣泛的適用性。
該型號采用了先進的制造工藝，確保在高效率運行的同時保持較低的功耗和較高的熱穩(wěn)定性。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：32A
導通電阻：4.5mΩ
柵極電荷：55nC
輸入電容：1680pF
最大工作結(jié)溫：175℃
封裝形式：TO-247
H5007NLT 具備以下主要特性：
1. 極低的導通電阻（Rds(on)），能夠顯著降低功率損耗，提升系統(tǒng)效率。
2. 快速開關(guān)能力，適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
3. 高額定電流，支持大功率設(shè)備運行。
4. 優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠性，適用于惡劣的工作條件。
5. 小巧的封裝設(shè)計，便于集成到各種電路板中。
6. 符合 RoHS 標準，環(huán)保無鉛材料制造。
H5007NLT 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS)。
2. 電機驅(qū)動器中的功率控制。
3. 太陽能逆變器及 UPS 系統(tǒng)。
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
5. 各類高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
6. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換功能。
H5008NLT, IRFZ44N, FDP5570N
