時(shí)間：2025/5/23 7:17:51
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H27UBG8T2ATR-BC 是一款由海力士（SK Hynix）生產(chǎn)的NAND閃存芯片。該芯片采用先進(jìn)的制程工藝制造，具有高密度存儲容量和快速的數(shù)據(jù)傳輸能力，廣泛應(yīng)用于需要大容量存儲的消費(fèi)電子設(shè)備中，例如固態(tài)硬盤（SSD）、USB閃存盤、嵌入式存儲模塊等。
這款芯片支持標(biāo)準(zhǔn)的NAND接口協(xié)議，并且具備多種數(shù)據(jù)管理功能以確保可靠性和耐用性。其設(shè)計(jì)符合業(yè)界對高效能和低功耗的需求，適用于各種便攜式及高性能計(jì)算設(shè)備。
容量：128GB
接口類型：Toggle Mode 2.0
工作電壓：1.8V
封裝形式：BGA
I/O電壓：1.8V
頁面大�。�16KB
區(qū)塊大小：512MB
通道數(shù)：8
H27UBG8T2ATR-BC 的主要特性包括高容量、快速讀寫速度和較低的功耗。它使用了Toggle DDR 2.0 接口，這種接口能夠提供比傳統(tǒng)異步接口更高的數(shù)據(jù)傳輸速率。此外，這款芯片還采用了3D NAND技術(shù)，這不僅提高了存儲密度，還改善了芯片的性能與可靠性。
在數(shù)據(jù)管理方面，該芯片內(nèi)置ECC（Error Correction Code）引擎來修正數(shù)據(jù)傳輸中的錯(cuò)誤，保證數(shù)據(jù)完整性。同時(shí)，它也支持壞塊管理、磨損平衡等重要功能，延長產(chǎn)品使用壽命。
由于其小尺寸BGA封裝設(shè)計(jì)，使得這款芯片非常適合空間受限的應(yīng)用環(huán)境。另外，它的低功耗特點(diǎn)也非常適合移動(dòng)設(shè)備和其他電池供電系統(tǒng)使用。
H27UBG8T2ATR-BC 被廣泛應(yīng)用于多種消費(fèi)類電子產(chǎn)品中，包括但不限于：
1. 固態(tài)硬盤（SSD）
2. USB閃存盤
3. 嵌入式存儲模塊如eMMC和UFS
4. 智能手機(jī)和平板電腦
5. 數(shù)碼相機(jī)和攝像機(jī)
6. 游戲機(jī)及其他多媒體設(shè)備
這些應(yīng)用都依賴于這款芯片提供的大容量存儲能力和快速的數(shù)據(jù)訪問速度。
H27UCG8T2BTR-NC
