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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > H27U1G8F2BTR-BC

H27U1G8F2BTR-BC 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/15 14:47:48 查看 閱讀�16

H27U1G8F2BTR-BC是海力士(SK Hynix)生�(chǎn)的一款NAND閃存芯片。該芯片主要用于存儲(chǔ)�(shù)�(jù),具有高密度、低功耗和快速讀寫的特點(diǎn)。其廣泛�(yīng)用于嵌入式系�(tǒng)、消�(fèi)類電子設(shè)備(如智能手�(jī)、平板電�、固�(tài)硬盤等),以及需要大容量存儲(chǔ)的場(chǎng)景�

參數(shù)

類型:NAND Flash
  存儲(chǔ)容量�1Gb (128Mb x 8)
  接口類型:Toggle Mode DDR
  工作電壓Vcc�1.8V ± 0.1V
  工作溫度�-40°C � +85°C
  封裝形式:WSON48
  �(yè)�?�?KB
  塊大?�?4�(yè)
  I/O接口寬度�8�

特�

H27U1G8F2BTR-BC采用先�(jìn)的NAND Flash技�(shù),具備以下特�(diǎn)�
  1. 高性能:支持Toggle Mode DDR接口,能�?qū)崿F(xiàn)更高的傳輸速度�
  2. 低功耗設(shè)�(jì):在待機(jī)和活�(dòng)模式下都具有較低的功�,適合便攜式�(shè)備使��
  3. 小型化封裝:采用WSON48封裝形式,有助于節(jié)省PCB空間�
  4. 可靠性:通過(guò)ECC(錯(cuò)誤校�(yàn)與糾正)�(jī)制提高數(shù)�(jù)可靠性�
  5. 廣泛的工作溫度范圍:能夠�-40°C�+85°C范圍�(nèi)�(wěn)定運(yùn)�,適用于多種�(huán)境條件下的應(yīng)��

�(yīng)�

H27U1G8F2BTR-BC適用于各種需要高效數(shù)�(jù)存儲(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)景,包括但不限于�
  1. 智能手機(jī)和平板電腦中的內(nèi)部存�(chǔ)�
  2. 固態(tài)硬盤(SSD)和其他存儲(chǔ)�(shè)��
  3. 嵌入式系�(tǒng),例如工�(yè)控制�(shè)�、醫(yī)療設(shè)備和�(wǎng)�(luò)�(shè)��
  4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)�,如�(shù)碼相�(jī)、攝像機(jī)��
  5. 物聯(lián)�(wǎng)(IoT)設(shè)�,用于存�(chǔ)固件和用戶數(shù)�(jù)�

替代型號(hào)

H27UBG8T2BTR-NC, H27U4G8F2BTR-BC

h27u1g8f2btr-bc推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

h27u1g8f2btr-bc參數(shù)

  • 單元類型SLC
  • 塊組��(duì)�
  • 字組�(shù)�128M
  • 存儲(chǔ)器大�1Gbit
  • 安裝類型表面貼裝
  • 寬度18.4mm
  • 封裝類型TSOP
  • 尺寸12 x 18.4 x 1mm
  • 引腳�(shù)�48
  • 最低工作溫�0 °C
  • 最大工作電源電�3.3 V
  • 最�(zhǎng)隨機(jī)存取�(shí)�25000ns
  • 最高工作溫�+70 °C
  • 每字組的位元�(shù)�8bit
  • 組織128M x 8 �
  • �(zhǎng)�12mm
  • 高度1mm