H27U1G8F2BTR-BC是海力士(SK Hynix)生�(chǎn)的一款NAND閃存芯片。該芯片主要用于存儲(chǔ)�(shù)�(jù),具有高密度、低功耗和快速讀寫的特點(diǎn)。其廣泛�(yīng)用于嵌入式系�(tǒng)、消�(fèi)類電子設(shè)備(如智能手�(jī)、平板電�、固�(tài)硬盤等),以及需要大容量存儲(chǔ)的場(chǎng)景�
類型:NAND Flash
存儲(chǔ)容量�1Gb (128Mb x 8)
接口類型:Toggle Mode DDR
工作電壓Vcc�1.8V ± 0.1V
工作溫度�-40°C � +85°C
封裝形式:WSON48
�(yè)�?�?KB
塊大?�?4�(yè)
I/O接口寬度�8�
H27U1G8F2BTR-BC采用先�(jìn)的NAND Flash技�(shù),具備以下特�(diǎn)�
1. 高性能:支持Toggle Mode DDR接口,能�?qū)崿F(xiàn)更高的傳輸速度�
2. 低功耗設(shè)�(jì):在待機(jī)和活�(dòng)模式下都具有較低的功�,適合便攜式�(shè)備使��
3. 小型化封裝:采用WSON48封裝形式,有助于節(jié)省PCB空間�
4. 可靠性:通過(guò)ECC(錯(cuò)誤校�(yàn)與糾正)�(jī)制提高數(shù)�(jù)可靠性�
5. 廣泛的工作溫度范圍:能夠�-40°C�+85°C范圍�(nèi)�(wěn)定運(yùn)�,適用于多種�(huán)境條件下的應(yīng)��
H27U1G8F2BTR-BC適用于各種需要高效數(shù)�(jù)存儲(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)景,包括但不限于�
1. 智能手機(jī)和平板電腦中的內(nèi)部存�(chǔ)�
2. 固態(tài)硬盤(SSD)和其他存儲(chǔ)�(shè)��
3. 嵌入式系�(tǒng),例如工�(yè)控制�(shè)�、醫(yī)療設(shè)備和�(wǎng)�(luò)�(shè)��
4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)�,如�(shù)碼相�(jī)、攝像機(jī)��
5. 物聯(lián)�(wǎng)(IoT)設(shè)�,用于存�(chǔ)固件和用戶數(shù)�(jù)�
H27UBG8T2BTR-NC, H27U4G8F2BTR-BC