H26M52103FMR 是一款由東芝(Toshiba)生�(chǎn)的高� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于功率�(zhuǎn)換和電機�(qū)動等場景。該芯片采用 N 溝道增強型技�(shù),具有低導通電阻和高開�(guān)速度的特�,適用于各種工業(yè)和消費電子設(shè)備中的電源管理電路�
型號:H26M52103FMR
類型:N溝道增強型MOSFET
封裝:TO-220FP
VDS(漏源極電壓):700V
RDS(on)(導通電�,典型值)�4.0Ω
ID(連續(xù)漏極電流):8.5A
柵極電荷�25nC
總功耗:35W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
H26M52103FMR 的主要特性包括:
1. 高耐壓能力,VDS 可達 700V,適合高壓應(yīng)用場��
2. 導通電阻低� 4.0Ω(典型值),可有效降低功率損��
3. 快速開�(guān)性能,有助于提高效率并減少電磁干��
4. �(wěn)定的工作溫度范圍,能夠在極端�(huán)境下保持可靠運行�
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�
6. TO-220FP 封裝形式,便于散熱設(shè)計和安裝�
這款芯片的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣�,主要包括:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
2. 直流電機�(qū)動器的控制電路�
3. 逆變器和變頻器中的功率轉(zhuǎn)換模��
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載切��
5. 家用電器如空�(diào)、冰箱等的壓縮機�(qū)��
6. LED �(qū)動器和其他需要高壓切換的場合�
H26M52103FMR-L, IRF840, STP70NF7