H26M41103HPR是一款由Rohm公司生產(chǎn)的高壓功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、DC-DC�(zhuǎn)換器等高電壓場景。該器件采用TO-263封裝形式,具有低�(dǎo)通電阻和高耐壓的特�,能夠有效提升系�(tǒng)的效率并降低能��
此MOSFET屬于N溝道類型,通過柵極電壓控制漏極與源極之間的�(dǎo)通狀�(tài),適用于多種工業(yè)及消費類電子�(chǎn)品中的功率管理場��
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�4.8A
�(dǎo)通電阻(典型值)�95mΩ
柵極閾值電壓:2.5V~4.5V
功耗:76W
工作溫度范圍�-55℃~175�
H26M41103HPR具備出色的電氣性能,主要特點如下:
1. 高擊穿電壓設(shè)計確保其在高壓環(huán)境下�(wěn)定運�,滿足多種工�(yè)�(yīng)用需求�
2. 極低的導(dǎo)通電阻顯著降低了傳導(dǎo)損�,有助于提高整體系統(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)速度使得它非常適合高頻開�(guān)�(yīng)用,減少開關(guān)損��
4. �(nèi)置ESD保護電路增強了器件的抗靜電能�,提高了可靠��
5. TO-263封裝形式不僅散熱性能良好,還易于集成到各種印刷電路板�(shè)計中�
H26M41103HPR適合用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)�(shè)計中的主開關(guān)管�
2. 各類DC-DC�(zhuǎn)換器,如降壓或升壓拓?fù)浣Y(jié)�(gòu)�
3. 電機�(qū)動應(yīng)�,包括步進電機和無刷直流電機控制�
4. 汽車電子�(shè)備中的負(fù)載切換和電源管理�
5. 家用電器及消費類電子�(chǎn)品中的功率管理單�(PMU)�
H26M41105HPR, H26M41106HPR