GW PUSRA1.PM-N4P1-XX51-1-700-R18 是一款高性能的功率半導體器件,通常用于電源管理、電機驅(qū)動和工業(yè)控制等場景。該型號屬于高壓功率MOSFET系列,采用先進的制造工藝,具有低導通電阻、高開關速度和優(yōu)異的熱性能。
類型:功率MOSFET
電壓等級:700V
導通電阻:18mΩ
封裝形式:TO-247
最大電流:30A
柵極電荷:120nC
開關頻率:最高可達100kHz
工作溫度范圍:-55℃至+175℃
GW PUSRA1.PM-N4P1-XX51-1-700-R18 功率MOSFET采用了最新的硅技術設計,其主要特性包括:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)),在高負載條件下顯著降低功耗。
2. 高擊穿電壓能力,適用于需要高耐壓的應用環(huán)境。
3. 快速開關性能,能夠有效減少開關損耗并提高效率。
4. 優(yōu)化的熱阻設計,確保器件在高溫環(huán)境下也能穩(wěn)定運行。
5. 具備出色的抗雪崩能力和過流保護功能,提升系統(tǒng)的可靠性和安全性。
6. 封裝形式為TO-247,適合大功率散熱需求的場景。
該型號廣泛應用于以下領域:
1. 工業(yè)電源和不間斷電源(UPS)系統(tǒng)。
2. 太陽能逆變器和風能轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。
3. 電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)中的電機驅(qū)動電路。
4. 開關模式電源(SMPS)和DC-DC轉(zhuǎn)換器。
5. LED照明驅(qū)動電路。
6. 各種高頻功率變換器和電力電子設備。
GW PUSRA1.PM-N4P1-XX51-1-700-R25
GW PUSRA1.PM-N4P1-XX51-1-800-R18
IRFP460N
FQP18N70C