GT5-1P-DS 70是一種高性能的功率MOSFET晶體�,主要應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各種功率變換電路�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
型號:GT5-1P-DS 70
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓:70V
最大柵源電壓:±20V
持續(xù)漏極電流�5A
�(dǎo)通電阻:40mΩ(典型值)
總柵極電荷:30nC(最大值)
輸入電容�1000pF(典型值)
工作溫度范圍�-55℃至+150�
1. GT5-1P-DS 70采用了最新的半導(dǎo)體技�(shù)�(shè)�(jì),具有非常低的導(dǎo)通電�,從而減少了功率損��
2. 其快速的開關(guān)速度使得該器件非常適合高頻應(yīng)�,可顯著降低開關(guān)損耗�
3. �(nèi)置反向恢�(fù)二極管�(jìn)一步優(yōu)化了其在同步整流和續(xù)流二極管�(yīng)用中的性能�
4. 高度�(wěn)定的電氣特性確保其在極端溫度條件下的可靠性�
5. 小尺寸封裝使其易于集成到緊湊型電路設(shè)�(jì)��
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
4. 電池管理及保�(hù)電路
5. 各類工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
6. 汽車電子中的�(fù)載切�
IRFZ44N, FDP5800, STP55NF06