GSD13N65E是一種N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電路、功率轉(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)動等�(lǐng)�。該器件具有低導(dǎo)通電�、高擊穿電壓和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),適合在高壓�(huán)境下工作�
該型號由知名半導(dǎo)體廠商生�(chǎn),采用TO-247封裝形式,確保了良好的散熱性能和電氣連接�(wěn)定性。其�(shè)�(jì)�(yōu)化了開關(guān)損耗和�(dǎo)通損耗之間的平衡,適用于各種需要高效能和可靠性的�(yīng)用場景�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�13A
�(dǎo)通電阻:0.18Ω
柵極電荷�45nC
總電容:1450pF
開關(guān)時間:ton=65ns,toff=45ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
GSD13N65E的主要特性包括:
1. 高耐壓能力,額定漏源電壓為650V,可適應(yīng)高壓工業(yè)�(yīng)用環(huán)��
2. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on))僅�0.18Ω,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體效率�
3. 快速開�(guān)性能,典型開�(guān)時間為數(shù)十納秒級�,支持高頻工作需��
4. 小巧緊湊的TO-247封裝�(shè)�(jì),具備優(yōu)異的散熱性能�
5. 柵極閾值電壓經(jīng)過精確控�,確保穩(wěn)定性和一致性�
6. 工作溫度范圍寬廣,從-55℃到+150℃均可正常運(yùn)�,適用于極端�(huán)境條件下的應(yīng)��
GSD13N65E適用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流管�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器及逆變器設(shè)�(jì)中的功率開關(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)動與控制電路中的功率輸出��
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切��
5. 太陽能逆變器及其他新能源相�(guān)�(chǎn)品的功率模塊�
6. 各類需要高效能功率開關(guān)的應(yīng)用場景�
GSD13N65B, IRFP250N, STW85N65DM2