GSA11N80E 是一� N 灃道通態(tài) MOSFET,采� TO-247 封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,適合用于高頻開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場景�
這款 MOSFET 的最大漏源電壓為 80V,持�(xù)漏極電流可達 11A(在特定條件下),并且具備較低的柵極電荷,有助于提高系統(tǒng)的整體效��
最大漏源電壓:80V
持續(xù)漏極電流�11A
�(dǎo)通電阻:2.5mΩ(典型值,在特定條件下�
柵極電荷�35nC(典型值)
工作溫度范圍�-55� � +175�
GSA11N80E 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠有效降低傳�(dǎo)損��
2. 高效的開�(guān)性能,得益于其較小的柵極電荷�
3. 支持高頻操作,適用于開關(guān)頻率較高的應(yīng)用環(huán)境�
4. 提供出色的熱�(wěn)定性,允許在較高溫度范圍內(nèi)可靠運行�
5. 符合 RoHS �(biāo)�,環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電路設(shè)計中�
GSA11N80E 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
2. 電機�(qū)動器中的功率級控制�
3. 逆變器和 UPS 系統(tǒng)的關(guān)鍵功率元��
4. 各種工業(yè)自動化設(shè)備中的負載切換功��
5. 高效能量管理模塊,如太陽能逆變器或電池管理系統(tǒng) (BMS)�
IRFZ44N, STP11NK60Z, FDP11N80Z