GRT21BR60J335KE13K 是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先進的半導體制造工�。該芯片具有低導通電�、高開關速度和優(yōu)秀的熱性能,廣泛應用于開關電源、電機驅�、DC-DC轉換器等電力電子領域。此型號為N溝道增強型MOSFET,適合于高頻應用場合�
該芯片設計著重于提升效率和可靠性,在高電流和高電壓條件下表現優(yōu)�。其封裝形式通常為表面貼裝類型,便于自動化生產和提高系統集成��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�33A
導通電阻:4.5mΩ
柵極電荷�85nC
工作結溫范圍�-55� to +175�
封裝類型:TO-Leadless (TOLL)
1. 極低的導通電�,有效減少傳導損耗,提升整體效率�
2. 高速開關能力,支持高達1MHz的工作頻��
3. 良好的熱�(wěn)定�,確保在高溫�(huán)境下依然保持高效運行�
4. 內置ESD保護電路,增強抗靜電能力�
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且無鉛設計�
6. 可靠的電氣隔離,保證安全操作�
1. 開關模式電源(SMPS)中的同步整流�
2. DC-DC轉換器的核心開關元件�
3. 電動工具和家用電器中的電機驅動控��
4. 工業(yè)自動化設備中的負載切��
5. 汽車電子系統的功率管理模��
6. 太陽能逆變器中的功率轉換部分�
GRT21BR60J335KE13H, GRT21AR60J335KE13K