GRT188C80J226ME13D是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝設(shè)�。該器件適用于高效率、高頻開�(guān)�(yīng)用場合,廣泛�(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)動和�(fù)載開�(guān)等領(lǐng)�。其低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性使得該芯片在節(jié)能和性能�(yōu)化方面表�(xiàn)出色�
該型號屬于溝道增�(qiáng)型MOSFET系列,具備出色的熱穩(wěn)定性和電氣性能,能夠滿足工�(yè)級和消費(fèi)級電子產(chǎn)品的�(yán)格要��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�45A
�(dǎo)通電阻:1.2mΩ
柵極電荷�90nC
總電容:1300pF
工作溫度范圍�-55℃至175�
封裝形式:TO-247
GRT188C80J226ME13D具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠在高電流條件下有效減少功率損��
2. 快速開�(guān)能力,支持高頻操�,有助于提升系統(tǒng)效率�
3. 高可靠性設(shè)�,確保在極端�(huán)境條件下的長期穩(wěn)定��
4. �(yōu)異的熱性能,通過高效的散熱結(jié)�(gòu)降低�(jié)��
5. 提供過流保護(hù)和短路保�(hù)功能,增�(qiáng)系統(tǒng)的安全��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到各類現(xiàn)代電子設(shè)備中�
該芯片適用于多種�(yīng)用場�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率�(zhuǎn)換�
2. 電動工具及家電產(chǎn)品的電機(jī)�(qū)動控��
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
4. 新能源汽車的電池管理系統(tǒng)(BMS)和DC-DC�(zhuǎn)換器�
5. 太陽能逆變器以及其他可再生能源相關(guān)�(shè)��
GRT188C80J226ME13D憑借其卓越的性能和可靠�,成為上述領(lǐng)域的理想選擇�
GRT188C80J226ME13B
GRT188C80J226ME13C
IRF840
FDP5800