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GRT188C80J226ME13D 發(fā)布時間 時間�2025/5/10 13:16:47 查看 閱讀�18

GRT188C80J226ME13D是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝設(shè)�。該器件適用于高效率、高頻開�(guān)�(yīng)用場合,廣泛�(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)動和�(fù)載開�(guān)等領(lǐng)�。其低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性使得該芯片在節(jié)能和性能�(yōu)化方面表�(xiàn)出色�
  該型號屬于溝道增�(qiáng)型MOSFET系列,具備出色的熱穩(wěn)定性和電氣性能,能夠滿足工�(yè)級和消費(fèi)級電子產(chǎn)品的�(yán)格要��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�45A
  �(dǎo)通電阻:1.2mΩ
  柵極電荷�90nC
  總電容:1300pF
  工作溫度范圍�-55℃至175�
  封裝形式:TO-247

特�

GRT188C80J226ME13D具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠在高電流條件下有效減少功率損��
  2. 快速開�(guān)能力,支持高頻操�,有助于提升系統(tǒng)效率�
  3. 高可靠性設(shè)�,確保在極端�(huán)境條件下的長期穩(wěn)定��
  4. �(yōu)異的熱性能,通過高效的散熱結(jié)�(gòu)降低�(jié)��
  5. 提供過流保護(hù)和短路保�(hù)功能,增�(qiáng)系統(tǒng)的安全��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到各類現(xiàn)代電子設(shè)備中�

�(yīng)�

該芯片適用于多種�(yīng)用場�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率�(zhuǎn)換�
  2. 電動工具及家電產(chǎn)品的電機(jī)�(qū)動控��
  3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
  4. 新能源汽車的電池管理系統(tǒng)(BMS)和DC-DC�(zhuǎn)換器�
  5. 太陽能逆變器以及其他可再生能源相關(guān)�(shè)��
  GRT188C80J226ME13D憑借其卓越的性能和可靠�,成為上述領(lǐng)域的理想選擇�

替代型號

GRT188C80J226ME13B
  GRT188C80J226ME13C
  IRF840
  FDP5800

grt188c80j226me13d推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

grt188c80j226me13d參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�83,779�(xiàn)�
  • 價格1 : �3.90000剪切帶(CT�4,000 : �0.92547卷帶(TR�
  • 系列GRT
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容22 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定6.3V
  • 溫度系數(shù)X6S
  • 工作溫度-55°C ~ 105°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 大小 / 尺寸0.063" � x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.039"�1.00mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-