GRT155C81A225KE13J 是一種基于氮化鎵(GaN)技術的高性能功率晶體�,專為高頻、高效率電源應用設計。該器件采用增強� GaN HEMT 技�,具有低導通電阻和快速開關速度的特�,適用于 DC-DC 轉換�、電機驅動、無線充電及電源管理等領�。其封裝形式� TO-263-7L(D2PAK-7),適合表面貼裝工藝�
GRT155C 系列晶體管在高頻工作條件下表�(xiàn)出優(yōu)異的性能,同時支持高電流密度和高電壓操作。通過�(yōu)化的柵極驅動設計,可以顯著降低開關損耗并提高整體系統(tǒng)效率�
最大漏源電壓:100V
最大連續(xù)漏極電流�40A
典型導通電阻:1.9mΩ
柵極電荷�75nC
輸入電容�2200pF
反向傳輸電容�380pF
工作結溫范圍�-55� � +150�
1. 基于先進的 GaN 技�,具備超低導通電阻和極快的開關速度,能夠顯著減少傳導和開關損��
2. 支持高達 1MHz 的開關頻�,非常適合高頻應用場合�
3. 內置 ESD 保護電路,增強了器件的可靠性�
4. 提供短路保護功能,在異常情況下可有效保護器件免受損壞�
5. 符合 RoHS 標準,并且滿足無鉛焊接要求�
6. 高效的熱管理設計,確保在高功率密度下�(wěn)定運��
1. 高頻 DC-DC 轉換器設�,用于服務器、通信設備等場��
2. 電動汽車中的電機控制器及車載充電��
3. 消費類電子產品的快速充電模�,如 USB-PD 充電��
4. 工業(yè)自動化設備中的電源管理系�(tǒng)�
5. 無線電力傳輸系統(tǒng)的核心功率元件�
6. LED 驅動器以及高效照明解決方��
EPC2020、PSMN0R9-100USB � Infineon � IPT020N10S4。這些替代品均采用了類似的 GaN � SiC 技�,但在具體參�(shù)上可能略有差異,請根�(jù)實際需求選擇合適的型號�