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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > GRT155C81A225KE13J

GRT155C81A225KE13J 發(fā)布時間 時間�2025/3/17 16:17:56 查看 閱讀�105

GRT155C81A225KE13J 是一種基于氮化鎵(GaN)技術的高性能功率晶體�,專為高頻、高效率電源應用設計。該器件采用增強� GaN HEMT 技�,具有低導通電阻和快速開關速度的特�,適用于 DC-DC 轉換�、電機驅動、無線充電及電源管理等領�。其封裝形式� TO-263-7L(D2PAK-7),適合表面貼裝工藝�
  GRT155C 系列晶體管在高頻工作條件下表�(xiàn)出優(yōu)異的性能,同時支持高電流密度和高電壓操作。通過�(yōu)化的柵極驅動設計,可以顯著降低開關損耗并提高整體系統(tǒng)效率�

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  最大連續(xù)漏極電流�40A
  典型導通電阻:1.9mΩ
  柵極電荷�75nC
  輸入電容�2200pF
  反向傳輸電容�380pF
  工作結溫范圍�-55� � +150�

特�

1. 基于先進的 GaN 技�,具備超低導通電阻和極快的開關速度,能夠顯著減少傳導和開關損��
  2. 支持高達 1MHz 的開關頻�,非常適合高頻應用場合�
  3. 內置 ESD 保護電路,增強了器件的可靠性�
  4. 提供短路保護功能,在異常情況下可有效保護器件免受損壞�
  5. 符合 RoHS 標準,并且滿足無鉛焊接要求�
  6. 高效的熱管理設計,確保在高功率密度下�(wěn)定運��

應用

1. 高頻 DC-DC 轉換器設�,用于服務器、通信設備等場��
  2. 電動汽車中的電機控制器及車載充電��
  3. 消費類電子產品的快速充電模�,如 USB-PD 充電��
  4. 工業(yè)自動化設備中的電源管理系�(tǒng)�
  5. 無線電力傳輸系統(tǒng)的核心功率元件�
  6. LED 驅動器以及高效照明解決方��

替代型號

EPC2020、PSMN0R9-100USB � Infineon � IPT020N10S4。這些替代品均采用了類似的 GaN � SiC 技�,但在具體參�(shù)上可能略有差異,請根�(jù)實際需求選擇合適的型號�

grt155c81a225ke13j推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

grt155c81a225ke13j參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�27,486�(xiàn)�
  • 價格1 : �1.19000剪切帶(CT�40,000 : �0.16476卷帶(TR�
  • 系列GRT
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產品狀�(tài)在售
  • 電容2.2 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定10V
  • 溫度系數(shù)X6S
  • 工作溫度-55°C ~ 105°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0402�1005 公制�
  • 大小 / 尺寸0.039" � x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.028"�0.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-