GRT1555C1H751FA02D 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高性能功率晶體�,主要用于高�、高效能開關(guān)電源及射頻應�。該器件采用增強型場效應晶體管(e-mode FET)結(jié)�(gòu),具備低導通電阻和高開�(guān)速度的特點。其封裝形式為表面貼�,適合自動化生產(chǎn)和緊湊型�(shè)��
該型號屬� GeneSiC 半導體公司旗下的 GaN 晶體管系�,專為高效率、高功率密度的應用而設(shè)�,廣泛應用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變器、無線充電設(shè)備等場景�
最大漏源電壓:650V
持續(xù)漏極電流�8A
導通電阻:75mΩ
柵極電荷�45nC
輸入電容�1300pF
開關(guān)頻率:高� 10MHz
工作溫度范圍�-55� � +175�
1. 高擊穿電壓(650V�,適用于寬范圍輸入電壓的電源系統(tǒng)�
2. 極低的導通電阻(75mΩ�,可顯著降低導通損�,提升整體效率�
3. 快速開�(guān)能力,支� MHz 級別的開�(guān)頻率,有助于縮小無源元件體積�
4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定�,即使在高溫�(huán)境下也能保持�(wěn)定的性能�
5. �(nèi)置靜電保護功�,增強器件的可靠��
6. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)保,滿足國際�(huán)保要��
1. 高頻 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器
2. 工業(yè)級電機驅(qū)動和逆變�
3. 射頻功率放大�
4. 無線電力傳輸模塊
5. �(shù)�(jù)中心和電信設(shè)備中的高效電源解決方�
6. 汽車電子中的 DC-DC �(zhuǎn)換及車載充電�
GRT1555C1H751FA02E, GRT1555C1H801FA02D