GRT033R60J683KE01D 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高功率密度、高性能場效�(yīng)晶體管(FET�。該器件專為高頻開關(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì),具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高電源轉(zhuǎn)換效率并減小系統(tǒng)尺寸�
其封裝形式為表面貼裝型(SMD�,適合自動化生產(chǎn)和緊湊型�(shè)�(jì)需�。廣泛應(yīng)用于服務(wù)器電�、通信�(shè)�、工�(yè)電機(jī)�(qū)動及電動汽車車載充電器等�(lǐng)��
型號:GRT033R60J683KE01D
類型:增�(qiáng)型氮化鎵場效�(yīng)晶體管(eGaN FET�
額定電壓�600V
額定電流�33A
�(dǎo)通電阻:68mΩ(典型值)
柵極電荷�45nC(最大值)
反向恢復(fù)時間:無(由于內(nèi)部肖特基二極管結(jié)�(gòu)�
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-Leadless(無引腳�
1. 高耐壓能力�600V�,適用于多種高壓�(yīng)用場景�
2. 極低的導(dǎo)通電阻(68mΩ�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提升整體效率�
3. 快速開�(guān)性能,支持高�(dá)�(shù)兆赫茲的工作頻率,可大幅縮小無源元件的體��
4. �(nèi)置零反向恢復(fù)電荷的肖特基二極管,降低開關(guān)過程中的能量損失�
5. 增強(qiáng)型結(jié)�(gòu)確保在正柵極�(qū)動下開啟,在零或�(fù)柵極�(qū)動下�(guān)閉,使用更加安全可靠�
6. 耐高溫設(shè)�(jì),能夠在極端�(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)行�
7. 表面貼裝封裝簡化� PCB �(shè)�(jì)與制造流��
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 逆變器和電機(jī)�(qū)動器
4. 太陽能微逆變�
5. 電動車車載充電器(OBC�
6. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器電源供�(yīng)模塊
7. 工業(yè)級高頻電源設(shè)�
8. 通信基站電源系統(tǒng)
1. GAN063-650WSB(相似規(guī)格但稍高的額定電壓)
2. EPC2016C(來自另一供應(yīng)�,具有類似的 Rds(on) � Vds 參數(shù)�
3. Infineon CoolGaN 系列 IGx0R0xxD(Infineon � GaN 器件家族成員�
注意:選擇替代型號時需�(yàn)證具體參�(shù)是否完全匹配�(shí)際應(yīng)用需��