GQM2195C2ER60WB12D是一款高性能的功率MOSFET器件,主要應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)�(lǐng)域。該芯片采用了先�(jìn)的溝槽式MOSFET技�(shù),能夠顯著降低導(dǎo)通電阻和�(kāi)�(guān)損耗,從而提升整體系�(tǒng)性能。其�(shè)�(jì)適用于大電流、高頻開(kāi)�(guān)�(chǎng)�,支持高效能要求的工�(yè)和汽車應(yīng)��
這款芯片具有出色的熱�(wěn)定性和耐用性,能夠在惡劣的工作條件下保持穩(wěn)定的性能表現(xiàn)�
型號(hào):GQM2195C2ER60WB12D
類型:N-Channel MOSFET
額定電壓�60V
額定電流�185A
�(dǎo)通電阻:1.2mΩ
柵極電荷�37nC
工作溫度范圍�-55°C to 175°C
封裝形式:TO-247-3
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�185A
GQM2195C2ER60WB12D具備以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,僅�1.2mΩ,能夠有效降低傳�(dǎo)損��
2. 快速開(kāi)�(guān)速度,柵極電荷僅37nC,有助于減少�(kāi)�(guān)損��
3. 支持高達(dá)175°C的結(jié)溫工�,保證在高溫�(huán)境下仍可正常�(yùn)��
4. 符合RoHS�(huán)保標(biāo)�(zhǔn),適合綠色產(chǎn)品設(shè)�(jì)�
5. 高雪崩能量能力,提升了器件的可靠性和抗浪涌能��
6. 具備ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的靜電防護(hù)性能�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)��
2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器中的功率級(jí)元件�
3. 電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中的電池管理系�(tǒng)(BMS)及電機(jī)控制��
4. 大功率LED�(qū)�(dòng)電路中的�(kāi)�(guān)元件�
5. 各種AC/DC和DC/DC�(zhuǎn)換器中的同步整流器件�
6. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模��
GQM2195C2ER60WB11D, IRF7739, FDP5500