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GQM2195C2ER60WB12D 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/13 12:12:40 查看 閱讀�20

GQM2195C2ER60WB12D是一款高性能的功率MOSFET器件,主要應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)�(lǐng)域。該芯片采用了先�(jìn)的溝槽式MOSFET技�(shù),能夠顯著降低導(dǎo)通電阻和�(kāi)�(guān)損耗,從而提升整體系�(tǒng)性能。其�(shè)�(jì)適用于大電流、高頻開(kāi)�(guān)�(chǎng)�,支持高效能要求的工�(yè)和汽車應(yīng)��
  這款芯片具有出色的熱�(wěn)定性和耐用性,能夠在惡劣的工作條件下保持穩(wěn)定的性能表現(xiàn)�

參數(shù)

型號(hào):GQM2195C2ER60WB12D
  類型:N-Channel MOSFET
  額定電壓�60V
  額定電流�185A
  �(dǎo)通電阻:1.2mΩ
  柵極電荷�37nC
  工作溫度范圍�-55°C to 175°C
  封裝形式:TO-247-3
  最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�185A

特�

GQM2195C2ER60WB12D具備以下�(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,僅�1.2mΩ,能夠有效降低傳�(dǎo)損��
  2. 快速開(kāi)�(guān)速度,柵極電荷僅37nC,有助于減少�(kāi)�(guān)損��
  3. 支持高達(dá)175°C的結(jié)溫工�,保證在高溫�(huán)境下仍可正常�(yùn)��
  4. 符合RoHS�(huán)保標(biāo)�(zhǔn),適合綠色產(chǎn)品設(shè)�(jì)�
  5. 高雪崩能量能力,提升了器件的可靠性和抗浪涌能��
  6. 具備ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的靜電防護(hù)性能�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)��
  2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器中的功率級(jí)元件�
  3. 電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中的電池管理系�(tǒng)(BMS)及電機(jī)控制��
  4. 大功率LED�(qū)�(dòng)電路中的�(kāi)�(guān)元件�
  5. 各種AC/DC和DC/DC�(zhuǎn)換器中的同步整流器件�
  6. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模��

替代型號(hào)

GQM2195C2ER60WB11D, IRF7739, FDP5500

gqm2195c2er60wb12d推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

gqm2195c2er60wb12d參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�4,000 : �2.76086卷帶(TR�
  • 系列*
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容-
  • 容差-
  • 電壓 - 額定-
  • 溫度系數(shù)-
  • 工作溫度-
  • 特�-
  • 等級(jí)-
  • �(yīng)�-
  • 故障�-
  • 安裝類型-
  • 封裝/外殼-
  • 大小 / 尺寸-
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)-
  • 引線間距-
  • 引線樣式-