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GQM1875C2E150GB12D 發(fā)布時間 時間�2025/5/30 22:00:41 查看 閱讀�12

GQM1875C2E150GB12D 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于高電壓、大電流場景中的功率�(zhuǎn)換和開關(guān)控制。該型號屬于溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用先�(jìn)的制造工藝以�(shí)�(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和更高的效��
  這款器件通常用于電源管理、電�(jī)�(qū)�、DC-DC�(zhuǎn)換器以及各類工業(yè)�(shè)備中。其封裝形式和電氣特性使其非常適合需要快速開�(guān)和低功耗的�(yīng)用環(huán)��

參數(shù)

最大漏源電壓:750V
  連續(xù)漏極電流�15A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�120mΩ
  柵極電荷�55nC
  輸入電容�1200pF
  總功耗:200W
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
  封裝形式:TO-247

特�

GQM1875C2E150GB12D 具有以下顯著低的�(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可有效降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)性能,適用于高頻�(yīng)用場合�
  3. 高耐壓能力,能夠在惡劣的電氣環(huán)境中�(wěn)定運(yùn)��
  4. �(nèi)置反向恢�(fù)二極管,減少開關(guān)噪聲并優(yōu)化動�(tài)性能�
  5. �(qiáng)大的熱穩(wěn)定性,即使在高溫條件下也能保持�(yōu)異的性能表現(xiàn)�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足全球市場的法�(guī)要求�
  這些特性使得該芯片成為高可靠性應(yīng)用場景的理想選擇�

�(yīng)�

GQM1875C2E150GB12D 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)和不間斷電源(UPS)�
  2. 電動工具和家用電器的電機(jī)�(qū)動電��
  3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模��
  4. 新能源汽車中的車載充電器和逆變器�
  5. LED�(qū)動器和高效照明系�(tǒng)�
  6. 各類需要高電壓、大電流處理能力的電子設(shè)備�
  憑借其出色的電氣特性和可靠�,該芯片在眾多行�(yè)中得到了廣泛�(yīng)��

替代型號

GQM1875C2E150GB12H, IRFP260N, FDP18N75C

gqm1875c2e150gb12d推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

gqm1875c2e150gb12d參數(shù)

  • 特色�(chǎn)�High Frequency - High Q Capacitors
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • 類別電容�
  • 家庭陶瓷
  • 系列GQM
  • 電容15pF
  • 電壓 - 額定250V
  • 容差±2%
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • �(yīng)�RF,微�,高�
  • 額定�-
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 尺寸/尺寸0.063" L x 0.031" W�1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.031"�0.80mm�
  • 引線間隔-
  • 特點(diǎn)� Q �,低損�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 引線�-