GQM1555C2D3R0BB01D 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應用于電源管理、電機驅(qū)動和工業(yè)控制等領域。該器件采用先進的制造工藝,具有低導通電阻和高效率的特點,能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)性能�
該型號屬于溝道增強型 MOSFET 系列,設計用于需要高效能和高可靠性的應用場景。其封裝形式和電氣特性使其成為眾多功率轉(zhuǎn)換應用的理想選擇�
類型:N-Channel MOSFET
導通電阻(Rds(on)):3.5 mΩ(典型�,Vgs=10V時)
擊穿電壓(BVDSS):60 V
連續(xù)漏極電流(Id):140 A
柵極電荷(Qg):85 nC
總功耗:270 W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247-3
GQM1555C2D3R0BB01D 具有以下關鍵特性:
1. 極低的導通電阻,在高電流應用中減少功��
2. 高擊穿電壓確保了在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定��
3. 快速開關能�,適用于高頻開關電源和逆變器�
4. 良好的熱性能,有助于提升系統(tǒng)的散熱能��
5. 高可靠性設計,適合工業(yè)和汽車級應用�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
該芯片主要應用于以下領域�
1. 開關電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電動工具和家用電器的電機�(qū)��
3. 工業(yè)自動化設備中的功率控��
4. 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)�
5. 汽車電子中的負載切換和電池管理�
6. 高效能的 LED �(qū)動電��
GQM1555C2D3R1AA01D, IRF540N, FQP17N60