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GQM1555C2D300GB01D 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/30 21:57:44 查看 閱讀:9

GQM1555C2D300GB01D 是一款高性能的功率 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),主要用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn),適合于高效率和高頻率的工作環(huán)境。
  這款功率 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器件,其設(shè)計(jì)能夠承受較高的電壓和電流負(fù)載,同時(shí)提供出色的熱性能和電氣性能。

參數(shù)

型號(hào):GQM1555C2D300GB01D
  類(lèi)型:N溝道功率MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):300V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):18A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.12Ω
  柵極電荷(Qg):45nC
  輸入電容(Ciss):2200pF
  總功耗(Ptot):150W
  工作溫度范圍(Tj):-55℃ 至 +175℃
  封裝形式:TO-247

特性

GQM1555C2D300GB01D 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,能夠在高電流條件下減少功率損耗。
  2. 快速的開(kāi)關(guān)速度,使得其適用于高頻應(yīng)用,從而提升整體系統(tǒng)效率。
  3. 高耐壓能力(300V),保證在高壓環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
  4. 具備良好的熱性能,能夠有效散熱以延長(zhǎng)使用壽命。
  5. 小型化的封裝設(shè)計(jì),便于集成到緊湊型電路中。
  6. 可靠性高,能夠在惡劣的工業(yè)環(huán)境中保持穩(wěn)定表現(xiàn)。
  這些特性使其成為許多高要求應(yīng)用的理想選擇,如逆變器、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機(jī)控制等。

應(yīng)用

GQM1555C2D300GB01D 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
  2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
  3. 太陽(yáng)能逆變器和風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換。
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源管理和控制。
  5. 電動(dòng)車(chē)和混合動(dòng)力車(chē)中的牽引逆變器。
  由于其強(qiáng)大的電氣性能和可靠性,該器件特別適合需要高效率和高可靠性的應(yīng)用場(chǎng)景。

替代型號(hào)

GQM1555C2D300GA01D, GQM1555C2D300GB02D, IRF840, STP18NF30

gqm1555c2d300gb01d推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠(chǎng)商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢(xún)價(jià)

gqm1555c2d300gb01d參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨查看交期
  • 價(jià)格10,000 : ¥0.86332卷帶(TR)
  • 系列GQM
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容30 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低損耗
  • 等級(jí)-
  • 應(yīng)用RF,微波,高頻
  • 故障率-
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 長(zhǎng) x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引線(xiàn)間距-
  • 引線(xiàn)樣式-