GQM1555C2D150FB01D 是一款高性能的功� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),主要用于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動以及負(fù)載開�(guān)等應(yīng)用。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),適合于需要高電流承載能力的應(yīng)用場��
該芯片屬于溝道增�(qiáng)型MOSFET,通過柵極電壓控制漏極與源極之間的�(dǎo)通狀�(tài)。其封裝形式為標(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝器�,便于自動化生產(chǎn)和安裝�
類型:N溝道 MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
持續(xù)漏極電流(Id)�150A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.5mΩ
柵極電荷(Qg)�95nC
總功�(Ptot)�230W
工作溫度范圍(Ta)�-55� � +175�
封裝形式:TO-247-3
GQM1555C2D150FB01D 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on) 僅為 1.5mΩ�,可以顯著降低導(dǎo)通損�,提高整體效��
2. 高電流承載能�,支持高�(dá) 150A 的連續(xù)漏極電流�
3. 快速開�(guān)性能,柵極電荷低� 95nC,有助于減少開關(guān)損耗�
4. 工作溫度范圍寬廣,從 -55� � +175�,適合在極端�(huán)境條件下使用�
5. 具備良好的熱�(wěn)定�,能夠承受高功率�(yīng)用場景中的熱�(yīng)��
6. 表面貼裝封裝,方便實(shí)�(xiàn)高密度電路板�(shè)�(jì)和自動化生產(chǎn)�
7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛材�,滿足國際環(huán)保要��
這款功率 MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中作為主開關(guān)或同步整流元��
2. 電動工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)動控��
3. 汽車電子系統(tǒng),如啟動馬達(dá)、發(fā)電機(jī)�(diào)節(jié)器及車身控制系統(tǒng)�
4. 大功率負(fù)載開�(guān),用于保�(hù)電路免受過流和短路的影響�
5. 可再生能源設(shè)�,例如太陽能逆變器和�(fēng)力發(fā)電控制器�
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換和控制模塊�
GQM1555C2D150FB01D 憑借其卓越的性能表現(xiàn),在這些�(yīng)用中能夠提供高效、可靠的解決方案�
GQM1555C2D150FA01D, IRFP260N, STP150N06LL