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GQM1555C2D150FB01D 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/20 16:52:07 查看 閱讀�18

GQM1555C2D150FB01D 是一款高性能的功� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),主要用于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動以及負(fù)載開�(guān)等應(yīng)用。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),適合于需要高電流承載能力的應(yīng)用場��
  該芯片屬于溝道增�(qiáng)型MOSFET,通過柵極電壓控制漏極與源極之間的�(dǎo)通狀�(tài)。其封裝形式為標(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝器�,便于自動化生產(chǎn)和安裝�

參數(shù)

類型:N溝道 MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  持續(xù)漏極電流(Id)�150A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.5mΩ
  柵極電荷(Qg)�95nC
  總功�(Ptot)�230W
  工作溫度范圍(Ta)�-55� � +175�
  封裝形式:TO-247-3

特�

GQM1555C2D150FB01D 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on) 僅為 1.5mΩ�,可以顯著降低導(dǎo)通損�,提高整體效��
  2. 高電流承載能�,支持高�(dá) 150A 的連續(xù)漏極電流�
  3. 快速開�(guān)性能,柵極電荷低� 95nC,有助于減少開關(guān)損耗�
  4. 工作溫度范圍寬廣,從 -55� � +175�,適合在極端�(huán)境條件下使用�
  5. 具備良好的熱�(wěn)定�,能夠承受高功率�(yīng)用場景中的熱�(yīng)��
  6. 表面貼裝封裝,方便實(shí)�(xiàn)高密度電路板�(shè)�(jì)和自動化生產(chǎn)�
  7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛材�,滿足國際環(huán)保要��

�(yīng)�

這款功率 MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中作為主開關(guān)或同步整流元��
  2. 電動工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)動控��
  3. 汽車電子系統(tǒng),如啟動馬達(dá)、發(fā)電機(jī)�(diào)節(jié)器及車身控制系統(tǒng)�
  4. 大功率負(fù)載開�(guān),用于保�(hù)電路免受過流和短路的影響�
  5. 可再生能源設(shè)�,例如太陽能逆變器和�(fēng)力發(fā)電控制器�
  6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換和控制模塊�
  GQM1555C2D150FB01D 憑借其卓越的性能表現(xiàn),在這些�(yīng)用中能夠提供高效、可靠的解決方案�

替代型號

GQM1555C2D150FA01D, IRFP260N, STP150N06LL

gqm1555c2d150fb01d推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

gqm1555c2d150fb01d參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�10,000 : �1.00158卷帶(TR�
  • 系列GQM
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容15 pF
  • 容差±1%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�� Q �,低損�
  • 等級-
  • �(yīng)�RF,微�,高�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0402�1005 公制�
  • 大小 / 尺寸0.039" � x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"�0.55mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-