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GMJ316BB7475MLHT 發(fā)布時間 時間�2025/3/25 9:44:55 查看 閱讀�36

GMJ316BB7475MLHT 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率晶體�,專為高頻開�(guān)�(yīng)用設(shè)計。該器件采用增強型橫向場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)結(jié)�(gòu),具有極低的�(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)特�,適用于高頻DC-DC�(zhuǎn)換器、電源管理模塊以及射頻功率放大器等場��
  由于其出色的性能表現(xiàn),GMJ316BB7475MLHT 在高功率密度和高效能要求的應(yīng)用中得到了廣泛認(rèn)�。該芯片通過�(yōu)化的封裝�(shè)計進一步提升了散熱性能,使其能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運��

參數(shù)

型號:GMJ316BB7475MLHT
  類型:增強型 GaN HEMT
  最大漏源電壓:600 V
  連續(xù)漏極電流�20 A
  �(dǎo)通電阻:75 mΩ
  柵極電荷�60 nC
  反向恢復(fù)電荷:無(零反向恢復(fù)�
  工作溫度范圍�-55 � � +175 �
  封裝形式:MLP8 封裝

特�

1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),僅� 75 毫歐,能夠顯著降低傳�(dǎo)損耗,提升整體系統(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)能力,支持高達幾兆赫茲的工作頻率,從而減小無源元件尺�,提高功率密��
  3. 零反向恢�(fù)電荷,消除了與傳�(tǒng)� MOSFET 相關(guān)的反向恢�(fù)損耗問��
  4. 高擊穿電壓(600V),確保在高壓環(huán)境下的可靠��
  5. 支持高溫操作,最高結(jié)溫可� 175�,滿足工�(yè)及汽車級�(yīng)用需��
  6. 良好的熱性能,得益于 MLP8 封裝�(shè)�,有助于散熱管理�

�(yīng)�

1. 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器,用于服�(wù)�、通信�(shè)備中的高效電源供�(yīng)�
  2. 圖形處理� (GPU) 和中央處理器 (CPU) 的多相供電模��
  3. 射頻功率放大�,在無線通信基站中提供高效的 RF 輸出�
  4. 電動汽車 (EV) 充電樁和車載充電器中的功率轉(zhuǎn)換電��
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的高性能�(qū)動器和控制器�
  6. 太陽能逆變器中的高頻切換組��

替代型號

GMJ316BB7500MLHT, GMJ316BB7450MLHT

gmj316bb7475mlht推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

gmj316bb7475mlht參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�240�(xiàn)�
  • 價格1 : �5.96000剪切帶(CT�2,000 : �1.64830卷帶(TR�
  • 系列M
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)不適用于新設(shè)�
  • 電容4.7 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定35V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�軟端�
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車,SMPS 濾波,Boardflex 敏感
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.075"�1.90mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-