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GMC04CG430J25NT 發(fā)布時間 時間�2025/5/19 12:54:35 查看 閱讀�18

GMC04CG430J25NT 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的功率晶體管,采用常�(guān)型設(shè)�。它適用于高�、高效能的電源轉(zhuǎn)換和射頻應用�(lǐng)域。該器件具有高開�(guān)速度、低導通電阻以及出色的熱性能,能夠顯著提高系�(tǒng)效率并減少整體尺��
  GMC04CG430J25NT 的封裝形式為表面貼裝,便于自動化生產(chǎn)和焊�,同時提供了良好的散熱特�。其主要用途包� DC-DC �(zhuǎn)換器、無線充電模塊、LED �(qū)動器及各類高頻開�(guān)電源�

參數(shù)

類型:功率晶體管
  材料:氮化鎵 (GaN)
  最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�18A
  導通電阻:43mΩ
  柵極電荷�90nC
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:表面貼�
  額定功率�30W

特�

GMC04CG430J25NT 的核心優(yōu)勢在于其基于氮化鎵技�(shù)的高性能表現(xiàn)。相比傳�(tǒng)的硅� MOSFET,該器件具備更低的導通電阻和更快的開�(guān)速度,從而減少了開關(guān)損耗并提升了整體效�。此外,它的高頻操作能力使得磁性元件可以更�,進而縮小了整個系�(tǒng)的體��
  該器件還具有以下特點�
  - 高可靠性:�(jīng)過嚴格測試以確保在極端條件下的穩(wěn)定運��
  - 熱性能�(yōu)異:�(yōu)化的封裝�(shè)計增強了散熱能力,延長使用壽��
  - 電氣隔離:通過�(nèi)置保護機制提高了安全��
  - 易于�(qū)動:較低的柵極驅(qū)動要求簡化了電路�(shè)計�
  總體而言,這款 GaN 功率晶體管非常適合需要高效率和緊湊設(shè)計的應用場景�

應用

GMC04CG430J25NT 廣泛應用于多個領(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
  - 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器:用于服務器、通信�(shè)備及其他工業(yè)應用中的電源管理�
  - 射頻功率放大器:支持更高頻率和更大輸出功率的無線通信系統(tǒng)�
  - 快速充電器:為智能手機、筆記本電腦等便攜式�(shè)備提供快速且高效的充電方��
  - LED �(qū)動器:實�(xiàn)更高亮度控制的同時降低能��
  - 新能源汽車車載充電器:助力電動車實現(xiàn)更高效的電能�(zhuǎn)換與利用�
  此外,該器件也可用作其他高頻開關(guān)電源的核心組�,例如太陽能逆變�、不間斷電源(UPS)等�

替代型號

GMC04CG430J20NT
  GMC04CG430J30NT