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GMC04CG331G50NT 發(fā)布時間 時間�2025/5/29 16:45:27 查看 閱讀�12

GMC04CG331G50NT 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的MOSFET功率晶體�,采用TO-263-3封裝形式。該器件主要用于開關電源、電機驅�、逆變器等高效率功率轉換應用中�
  該型號屬于OptiMOS系列,具有極低的導通電阻(Rds(on)),能夠在高頻工作條件下保持高效率和低功耗特��

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  連續(xù)漏極電流�33A
  導通電阻:5mΩ
  柵極電荷�75nC
  工作溫度范圍�-55� to +175�

特�

GMC04CG331G50NT 具有卓越的熱性能和電氣性能�
  1. 極低的導通電阻確保了在高電流應用中的高效運行,減少了功率損��
  2. 高速開關能力使其非常適合高頻DC-DC轉換器和PWM控制器�
  3. 增強的雪崩能量能力提高了其在惡劣�(huán)境下的可靠��
  4. 小型化封裝設計有助于簡化PCB布局并減少整體系�(tǒng)尺寸�
  5. 工作溫度范圍寬廣,適應多種工�(yè)及汽車級應用需��

應用

該型號廣泛應用于各類功率電子領域�
  1. 開關模式電源(SMPS)中的同步整流�
  2. 電動工具和家用電器的無刷直流電機控制�
  3. 新能源系�(tǒng)如太陽能逆變器的核心功率轉換模塊�
  4. 電動車充電器以及車載DC-DC轉換��
  5. 各種工業(yè)自動化設備中的功率管理部分�

替代型號

GMC04CG331G55NT
  GMC04CG331G50LDT
  IRFB4410TRPBF