GMC04CG331G50NT 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的MOSFET功率晶體�,采用TO-263-3封裝形式。該器件主要用于開關電源、電機驅�、逆變器等高效率功率轉換應用中�
該型號屬于OptiMOS系列,具有極低的導通電阻(Rds(on)),能夠在高頻工作條件下保持高效率和低功耗特��
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�33A
導通電阻:5mΩ
柵極電荷�75nC
工作溫度范圍�-55� to +175�
GMC04CG331G50NT 具有卓越的熱性能和電氣性能�
1. 極低的導通電阻確保了在高電流應用中的高效運行,減少了功率損��
2. 高速開關能力使其非常適合高頻DC-DC轉換器和PWM控制器�
3. 增強的雪崩能量能力提高了其在惡劣�(huán)境下的可靠��
4. 小型化封裝設計有助于簡化PCB布局并減少整體系�(tǒng)尺寸�
5. 工作溫度范圍寬廣,適應多種工�(yè)及汽車級應用需��
該型號廣泛應用于各類功率電子領域�
1. 開關模式電源(SMPS)中的同步整流�
2. 電動工具和家用電器的無刷直流電機控制�
3. 新能源系�(tǒng)如太陽能逆變器的核心功率轉換模塊�
4. 電動車充電器以及車載DC-DC轉換��
5. 各種工業(yè)自動化設備中的功率管理部分�
GMC04CG331G55NT
GMC04CG331G50LDT
IRFB4410TRPBF