GMC04CG121J25NT 是一款由知名廠商推出的功率 MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高效能電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開(kāi)關(guān)等場(chǎng)景。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度以及優(yōu)異的熱性能,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)效率和可靠性的嚴(yán)格要求。
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器件,適合在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中使用,同時(shí)支持較寬的工作電壓范圍。憑借其出色的電氣特性和封裝設(shè)計(jì),GMC04CG121J25NT 廣泛用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制和通信設(shè)備等領(lǐng)域。
類(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型 MOSFET
最大漏源電壓(Vds):120V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):25A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4mΩ
柵極電荷(Qg):65nC
輸入電容(Ciss):1800pF
工作溫度范圍(Tj):-55℃ 至 +175℃
封裝形式:TO-247
1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on),可有效降低傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率。
2. 高速開(kāi)關(guān)性能,支持高頻工作環(huán)境,減少電磁干擾(EMI)問(wèn)題。
3. 強(qiáng)大的散熱能力,適用于高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)合。
4. 具備出色的雪崩能力和抗靜電性能(ESD),提高系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且易于集成到各種電路設(shè)計(jì)中。
6. 寬工作電壓范圍和大電流承載能力,確保在復(fù)雜負(fù)載條件下的穩(wěn)定運(yùn)行。
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開(kāi)關(guān)。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器應(yīng)用中的功率級(jí)元件。
3. 高效負(fù)載開(kāi)關(guān)和保護(hù)電路設(shè)計(jì)。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源管理模塊。
5. 通信基站和服務(wù)器電源中的關(guān)鍵組件。
6. 電動(dòng)汽車(chē)(EV) 和混合動(dòng)力汽車(chē)(HEV) 的電池管理系統(tǒng)(BMS)。
GMC04CG121K25NT, IRFZ44N, FDP5570N