時間�2025/5/15 14:16:20
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GMC04CG120G50NT 是一款基于硅基材料的高壓 MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），廣泛應用于功率轉換和電機驅動領域。該器件采用了先進的制造工�，具備高效率、低導通電阻和快速開關特�，適合于需要高性能功率管理的應用場��
該型號屬于溝槽型 MOSFET 系列，其設計�(yōu)化了動態(tài)性能和靜�(tài)性能之間的平�，從而滿足各種復雜工況下的需�。此�，該器件還具有出色的熱穩(wěn)定性和可靠�，能夠在惡劣的工作環(huán)境下長期運行�
最大漏源電壓：120V
連續(xù)漏極電流�50A
導通電阻：4mΩ（典型�，@ Vgs=10V�
柵極電荷�75nC（典型值）
輸入電容�3500pF（典型值）
開關速度：快�
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
1. 極低的導通電阻（Rds(on)�，有助于減少傳導損耗，提升整體系統(tǒng)效率�
2. 快速的開關速度和較低的柵極電荷，能夠降低開關損�，并支持高頻操作�
3. 內置 ESD 保護功能，增強器件的抗靜電能力�
4. 良好的熱性能，確保在高功率應用中的穩(wěn)定性�
5. 高雪崩能量能�，提高系�(tǒng)的可靠性和魯棒��
6. 符合 RoHS 標準，環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子設計中�
1. 開關電源（SMPS�
2. DC-DC 轉換�
3. 電機驅動與控�
4. 逆變�
5. 充電�
6. 工業(yè)自動化設�
7. 汽車電子系統(tǒng)
8. 可再生能源相關設備（如太陽能微逆變器）
GMC04CG120G40NT
GMC04DG120G50NT
IRFZ44N
FDP5512
IXFN120N04T2
