GMC04CG120F100NT是一款高性能的碳化硅(SiC)MOSFET功率模塊,專為高�、高效應用設計。該模塊采用了先進的碳化硅技�,具有低導通電�、快速開關速度和高耐壓的特�,適用于工業(yè)電源、太陽能逆變�、電動汽車驅動系�(tǒng)等領��
該器件內部集成了兩個反并聯(lián)的SiC MOSFET,形成全橋或半橋拓撲結構,能夠滿足多種電路需�。同�,它具備良好的熱性能和可靠性,可有效提升系�(tǒng)的整體效��
額定電壓�1200V
額定電流�100A
導通電阻:�5mΩ
開關頻率:高�100kHz
結溫范圍�-55℃至175�
封裝形式:符合行�(yè)標準的焊接型模塊
1. 高效碳化硅技�,相比傳�(tǒng)硅基器件可顯著降低開關損耗和導通損耗�
2. 快速開關特�,支持高頻工�,有助于減少無源元件體積和重��
3. 內置熱敏電阻,便于實時監(jiān)控模塊溫��
4. 耐高壓設�,確保在高電壓環(huán)境下的穩(wěn)定運行�
5. 緊湊的封裝設�,優(yōu)化了散熱路徑,提升了功率密度�
6. 具備較強的抗浪涌能力,適合惡劣工況的應用場景�
1. 工業(yè)變頻器及伺服驅動�
2. 太陽能光伏逆變�
3. 電動汽車電機控制�
4. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)
5. 高頻DC-DC轉換�
6. 其他需要高效率、高功率密度的電力電子設�