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GJM1555C1H430GB01D 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/5 9:31:28 查看 閱讀�8

GJM1555C1H430GB01D是一款高性能的射頻功率放大器芯片,主要應(yīng)用于無線通信�(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的GaAs(砷化鎵)工藝制造,具有高增�、高線性度和低功耗的特點(diǎn),能夠在較寬的頻率范圍內(nèi)提供�(wěn)定的性能表現(xiàn)。其�(shè)�(jì)�(yōu)化了效率與帶寬之間的平衡,適用于基站、中繼站以及其他需要高可靠性和高性能的通信�(shè)��

參數(shù)

型號:GJM1555C1H430GB01D
  工藝:GaAs HEMT
  工作頻率范圍�1710 MHz � 2170 MHz
  增益�28 dB 典型�
  輸出功率(P1dB):43 dBm 典型�
  飽和輸出功率�46 dBm 典型�
  電源電壓�5 V
  靜態(tài)電流�1.5 A 典型�
  封裝形式:陶瓷氣密封�
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C

特�

GJM1555C1H430GB01D具備以下顯著特點(diǎn)�
  1. 高輸出功率:�1710 MHz�2170 MHz的工作頻率范圍內(nèi),能夠提供高�(dá)43 dBm的輸出功��
  2. 高增益:典型增益�28 dB,確保信號的有效放大�
  3. 高線性度:優(yōu)秀的ACLR(鄰道泄漏比)性能,滿足現(xiàn)代通信系統(tǒng)對信號質(zhì)量的�(yán)格要��
  4. 低功耗設(shè)�(jì):通過�(yōu)化的偏置電路和負(fù)載匹配網(wǎng)�(luò),提高了整體效率,降低了功耗�
  5. �(wěn)定性強(qiáng):芯片內(nèi)部集成了保護(hù)電路,增�(qiáng)了器件在�(fù)雜環(huán)境下的可靠��
  6. 寬帶支持:覆蓋多�(gè)通信頻段,適合多模應(yīng)用需求�
  7. 小型化封裝:采用陶瓷氣密封裝,既保證了良好的散熱性能,又減少了安裝空間的需��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 無線通信基站�
  GJM1555C1H430GB01D可作為基站發(fā)射鏈路中的核心功率放大器,用于提升信號覆蓋范圍和通信�(zhì)��
  2. 中繼站:
  在偏�(yuǎn)地區(qū)或信號盲區(qū),該芯片可用于中繼站�(shè)備中,實(shí)�(xiàn)信號的高效轉(zhuǎn)�(fā)�
  3. 專用無線通信�(shè)備:
  如衛(wèi)星通信終端、微波傳輸設(shè)備等,利用其高功率和高線性度的優(yōu)�,保障數(shù)�(jù)傳輸?shù)姆€(wěn)定性和可靠��
  4. 測試測量儀器:
  因其�(yōu)異的性能指標(biāo),也可用作測試設(shè)備中的信號源放大器,以生成高�(zhì)量的測試信號�

替代型號

GJM1555C1H430GA01D
  GJM1555C1H430GB02D
  GJM1555C1H430GC01D

gjm1555c1h430gb01d推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

gjm1555c1h430gb01d參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�10,000 : �0.21358卷帶(TR�
  • 系列GJM
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容43 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�� Q 值,低損�
  • 等級-
  • �(yīng)�RF,微�,高�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0402�1005 公制�
  • 大小 / 尺寸0.039" � x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"�0.55mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-