GJM1555C1H100JB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載切換等�(chǎng)景。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠在高頻開關(guān)條件下保持出色的性能表現(xiàn)�
此型�(hào)中的�(guān)鍵參�(shù)定義了其在特定應(yīng)用場(chǎng)景下的能�,例如額定電壓、電流承載能力和封裝形式。通過�(yōu)化的溝道�(shè)�(jì)和柵極驅(qū)�(dòng)特�,這款MOSFET能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)�(wěn)定��
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓Vds�100V
最大柵源電壓Vgs:�20V
連續(xù)漏極電流Id�30A
�(dǎo)通電阻Rds(on)�4.5mΩ(典型值,在Vgs=10V�(shí)�
柵極電荷Qg�78nC
總功耗Ptot�180W
工作溫度范圍Tj�-55℃至+175�
GJM1555C1H100JB01D具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),可有效減少傳導(dǎo)損耗�
2. 高速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
3. �(qiáng)大的雪崩能力,增�(qiáng)了器件的魯棒��
4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定�,可在寬溫范圍內(nèi)可靠�(yùn)��
5. 小型化封裝設(shè)�(jì),便于PCB布局與散熱管��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適用于現(xiàn)代電子設(shè)備需��
該芯片適用于多種電力電子�(lǐng)�,包括但不限于以下應(yīng)用:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)管�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器及同步整流電��
3. 電機(jī)控制與驅(qū)�(dòng),如無刷直流電機(jī)(BLDC)控制器�
4. �(fù)載切換與保護(hù)電路�
5. 太陽能逆變器及�(chǔ)能系�(tǒng)中的功率管理模塊�
6. 汽車電子中的啟動(dòng)/停止系統(tǒng)及電池管理系�(tǒng)(BMS��
GJM1555C1H100GA01D, IRFZ44N, FDP55N10