GJM0336C1E200FB01D 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動和開關(guān)電路等領(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能等優(yōu)點,能夠滿足高效能應(yīng)用的需��
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強型器件,適合用于需要快速開�(guān)和低損耗的場景。其封裝形式為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的貼片式封裝,具有良好的散熱特性和機械�(wěn)定��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�200A
�(dǎo)通電阻:1.2mΩ
柵極電荷�45nC
開關(guān)時間:ton=8ns, toff=15ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�
GJM0336C1E200FB01D 提供了卓越的電氣性能,主要特點如下:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有效減少導(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高電流承載能�,支持高�(dá) 200A 的連續(xù)漏極電流,適用于大功率應(yīng)用場景�
3. 快速開�(guān)特�,具備短開關(guān)時間和低柵極電荷,從而降低開�(guān)損耗�
4. 寬工作溫度范� (-55°C � +175°C),確保在極端�(huán)境下的可靠運��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保設(shè)�,滿足國際法�(guī)要求�
該芯片可�(yīng)用于多種�(lǐng)�,包括但不限于以下場景:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的主開�(guān)管或同步整流��
2. 電機�(qū)動器中的功率級元件,用于控制電機的速度和方��
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
4. 電動車及新能源相�(guān)�(chǎn)品中的逆變器和 DC-DC �(zhuǎn)換器�
5. 大功� LED �(qū)動電路中的開�(guān)元件�
GJM0336C1E150FB01D, IRF2807PbF